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膜層的光學(xué)薄膜參數(shù)測(cè)量方法研究

簡(jiǎn)述了研究膜層光學(xué)薄膜參數(shù)測(cè)量方法的必要性。詳細(xì)介紹了各種測(cè)量方法的理論思想、測(cè)量準(zhǔn)確度、測(cè)量范圍。綜合比較了各種測(cè)量方法的優(yōu)缺點(diǎn)和適用性，研究了測(cè)量不同類型薄膜系統(tǒng)膜層光學(xué)薄膜參數(shù)的最佳測(cè)量方法。最

冷水機(jī)在真空鍍膜工藝中的作用

冷水機(jī)能控制真空鍍膜機(jī)的溫度，以保證鍍件的高質(zhì)量。冷水機(jī)在真空鍍膜工藝中的作用是非常重要的。

氧化鎳薄膜阻變特性研究進(jìn)展

本文從器件結(jié)構(gòu)、開關(guān)機(jī)理及摻雜等方面對(duì)近年來NiO薄膜阻變特性研究進(jìn)行了綜述與分析，并對(duì)阻變存儲(chǔ)未來發(fā)展趨勢(shì)及面臨的挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望。

離子束輔助磁控濺射沉積CrNx薄膜結(jié)構(gòu)以及力學(xué)性能研究

本文采用離子束輔助磁控濺射制備CrNx薄膜，研究了不同氮?dú)饬髁肯卤∧さ奈⑿蚊病⒔M織結(jié)構(gòu)以及硬度、彈性模量的變化，分析了離子束輔助對(duì)反應(yīng)磁控濺射沉積CrNx薄膜的影響。

柵極絕緣層和有源層沉積工藝的優(yōu)化對(duì)TFT特性的影響研究

本文針對(duì)AL層的SiH4和H2流量、壓力、間距以及功率設(shè)計(jì)了5因子2水平的1/4的部分因子實(shí)驗(yàn)，確定了AL層提升Ion的最佳的沉積條件，在AL層的最佳的沉積條件的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)GL層的NH3流量和功率的全因子實(shí)驗(yàn)。

類金剛石膜-磨粒滑動(dòng)接觸過程的有限元分析

本文采用ANSYS有限元軟件分析磨粒與DLC膜表面滑動(dòng)接觸的整個(gè)過程，研究DLC膜表面接觸區(qū)域的相關(guān)應(yīng)力和應(yīng)變的變化特點(diǎn)，力圖為DLC膜的表面磨損機(jī)理研究以及抗磨設(shè)計(jì)提供相關(guān)理論依據(jù)。

SiCOH低k介質(zhì)中低表面粗糙度溝道的刻蝕研究

本工作以獲得具有完整剖面結(jié)構(gòu)的低表面粗糙度溝道為目標(biāo)，采用C2F6/O2/Ar雙頻容性耦合等離子體，開展了SiCOH低k介質(zhì)中溝道刻蝕的研究。

電泳沉積碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極研究進(jìn)展

本文將介紹電泳法的主要技術(shù)工藝與發(fā)展，以及基于電泳技術(shù)的碳納米管薄膜材料在場(chǎng)電子發(fā)射陰極的研發(fā)新進(jìn)展。

DC-HCPCVD法高CH4流量下納米金剛石膜的制備及生長(zhǎng)特性研究

本文在CH4/H2氣氛下，在高CH4流量(8sccm~12sccm)下制備納米金剛石膜，研究所得納米金剛石膜的形貌與結(jié)構(gòu)，擴(kuò)展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。

Cr層厚度對(duì)Pd/Cr/Co多層膜光學(xué)性質(zhì)的影響

本文對(duì)Pd/Cr/Co多層膜的光學(xué)常數(shù)進(jìn)行了測(cè)量，并研究了Cr插層的厚度對(duì)多層膜光學(xué)性質(zhì)的影響。

銅銦鎵硒薄膜太陽電池的研究進(jìn)展

綜述了國(guó)內(nèi)外銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池的研究現(xiàn)狀。

雙靶磁控濺射共沉積V-C-Co薄膜的結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能

工作壓強(qiáng)對(duì)輝光放電聚合物薄膜化學(xué)結(jié)構(gòu)與表面形貌的影響

本文研究了工作壓強(qiáng)對(duì)GDP薄膜表面形貌與化學(xué)結(jié)構(gòu)的影響。利用功率譜密度(PSD)曲線對(duì)薄膜表面形貌進(jìn)行全頻譜分析，計(jì)算了與薄膜形貌生長(zhǎng)相關(guān)的參數(shù)。

低氣壓射頻空心陰極放電氬等離子體發(fā)射光譜分析

本文以射頻空心陰極放電等離子體為研究對(duì)象, 重點(diǎn)研究低于10Pa氣壓的放電工藝參數(shù)對(duì)于發(fā)射光譜的影響規(guī)律。

電子回旋共振等離子體輔助原子層沉積金屬鋁薄膜的研究

本文在電子回旋共振等離子體輔助下，以三甲基鋁為鋁源，氫氣為還原劑，通過將它們交替通入反應(yīng)腔內(nèi)，成功制備了金屬鋁薄膜，研究沉積參數(shù)對(duì)Al薄膜的性能和結(jié)構(gòu)成分的影響。

襯底溫度對(duì)ZnO:Al薄膜熱電性能影響的研究

本文采用AZO陶瓷靶，用直流磁控濺射的方法在不同溫度的玻璃襯底上生長(zhǎng)AZO薄膜，通過對(duì)所制備薄膜進(jìn)行微結(jié)構(gòu)、熱電性能的檢測(cè)和分析，研究襯底溫度對(duì)所制備的AZO薄膜熱電特性影響的變化規(guī)律。

摻雜對(duì)ZnO溶膠凝膠薄膜光電特性影響的研究進(jìn)展

ZnO作為一種重要半導(dǎo)體材料，在光電領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。本文從第一性原理理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)方面綜述了摻雜對(duì)ZnO薄膜光電特性的影響。

真空蒸發(fā)制備CdSexTe1-x薄膜及其性能研究

按不同比例混合CdTe和CdSe兩種化合物，利用真空蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備了CdSexTe1-x三元化合物薄膜，分別利用XRD、SEM、EDX、XPS、紫外-可見分光光度計(jì)對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、元素組成以及光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試

中間層類型對(duì)類金剛石涂層界面結(jié)合性能和抗磨損能力的影響

大顆粒缺陷在電弧離子鍍所制備薄膜中的分布狀態(tài)研究

針對(duì)電弧離子鍍制備薄膜產(chǎn)生的大顆粒問題，本文主要研究了大顆粒在薄膜中的分布狀態(tài)。