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Cu含量對脈沖偏壓電弧離子鍍TiN-Cu納米復合薄膜硬度的影響
用脈沖偏壓電弧離子鍍技術在高速鋼基體上制備了一系列不同Cu含量的TiN-Cu納米復合薄膜,分別測試了薄膜的成分、形貌、相組成、硬度和彈性模量,重點考察薄膜成分對其硬度和彈性模量的影響。
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ZSN-800AG2電子束蒸發(fā)鍍膜機程序化自動控制系統(tǒng)的設計
本文對ZSN-800AG2電子束蒸發(fā)鍍膜機的控制系統(tǒng)進行了設計,重點對應用iFix 組態(tài)軟件實現(xiàn)工藝過程用戶可編程序化的動控制方法設計以及數(shù)據(jù)存儲和趨勢曲線顯示等做了設計分析,完成了整 機的工藝試驗。
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Si90Al10Nx薄膜的工藝控制及光學性能研究
通過改變磁控濺射過程中氬氣與氮氣的分壓比,制備了多種不同厚度的Si90Al10Nx薄膜樣品,并采用透射率輪廓法對樣品在熱處理前后的光學性能進行了測量和分析。
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溫度對磁控濺射氮化鈦薄膜光學性能的影響
本文采用能量過濾磁控濺射技術,通過改變沉積溫度在玻璃襯底上制備了一系列TiN 薄膜。利用XRD進行了物相鑒定,使用分光光度計、橢圓偏振光譜儀和四探針電阻儀測試了TiN 薄膜的光學性能。
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基于正交試驗法TiO2納米薄膜的制備及光電性能的研究
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高速微晶硅薄膜沉積功率利用效率的測量與優(yōu)化
為了實現(xiàn)低成本微晶硅薄膜的高速沉積,需要盡可能的優(yōu)化工藝參數(shù),特別是提高功率利用效率對于降低生產成本,以及提高工藝穩(wěn)定性都具有重要的意義。
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氧化鎳溶膠-凝膠薄膜阻變特性研究
用溶膠-凝膠法在ITO基片上旋涂制備了NiO薄膜, 通過對ITO/NiO薄膜/GaIn器件進行伏安特性測試, 研究了溶膠濃度、退火、層數(shù)以及Cu摻雜等對其電學特性的影響。
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新型弧光輝光協(xié)同共放電(APSCD)真空鍍膜機的研制
本文闡述了新型的弧光輝光協(xié)同共放電真空鍍膜機的設計思想及應用,敘述了鍍膜機的整體結構、圓柱靶的設計和磁場模擬、工件籃的結構和輝光弧光共放電的原理。
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基片溫度對脈沖激光沉積CNx薄膜的組織結構和摩擦學性能的影響
采用脈沖激光燒蝕氮化碳薄膜靶,在室溫至450℃基片溫度下制備了CNx薄膜。利用掃描電鏡、X射線衍射儀、X射線光電子譜儀和拉曼光譜儀等對薄膜的形貌、結晶性和結合鍵狀態(tài)進行了表征。
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