真空應(yīng)用
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微波真空干燥設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)
常規(guī)的真空干燥設(shè)備都采用蒸汽進(jìn)行加熱,需要從里到外進(jìn)行加熱,加熱速度慢需要耗費(fèi)大量的煤,而微波真空干燥設(shè)備采用的是電磁波加熱,無需傳熱媒介,直接加熱到物體內(nèi)部,升溫速度快。
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真空在加速器及受控核聚變中的應(yīng)用
加速器是對粒子加速使被加速的粒子獲得高能源的裝置,在加速器中能夠產(chǎn)生各種能量的電子、質(zhì)子、氘、a粒子及其它重離子。利用這些粒子與物質(zhì)的相互作用,還可以產(chǎn)生各種帶電和不帶電的次級
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真空在航天工業(yè)中的應(yīng)用
真空科學(xué)與航天技術(shù)密切相關(guān)的主要環(huán)節(jié)來至于空間的環(huán)境模擬,因?yàn)檫\(yùn)載火箭、人造衛(wèi)星、載人飛船、空間站、宇宙探測器以及航天飛機(jī)等各種空間飛行器,在空間飛行的過程中、都是在宇宙的自然
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真空在食品包裝及冷凍干燥工業(yè)中的應(yīng)用
冷凍干燥的工藝過程是先將被干物料凍結(jié),然后抽真空,使物料中已凍結(jié)成冰的水份不經(jīng)過液態(tài)而直接升華去掉。
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直空在冶金工業(yè)中的應(yīng)用
真空環(huán)境中物質(zhì)與殘余氣體分子間的化學(xué)作用十分微弱,因此非常適宜對黑色金屬、稀有金屬,超純金屬及其合金、半導(dǎo)體材料的熔煉和精制。在真空環(huán)境中可通過降低單一氣體分子的分壓強(qiáng)、達(dá)到鋼液脫氣精煉、真空碳脫氧的
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真空在輸運(yùn)、吸引、起吊及真空造型等設(shè)備中的應(yīng)用
真空輸運(yùn)、吸引及起吊設(shè)備、都是利用真空與大氣間存在壓力差所產(chǎn)生的力來做功的。由于這種機(jī)械能存在著壓強(qiáng)處處均勻的特點(diǎn),因此可絕對密接地施加到任何形狀的平面上。
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等離子體輔助ITO薄膜低溫生長
等離子輔助可以有效控制ITO薄膜的結(jié)晶程度和晶粒尺寸以及晶界結(jié)構(gòu),在優(yōu)化條件下,在PET基體上制備出電阻率為1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
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V2O5復(fù)合薄膜材料的制備
V2O5復(fù)合氣凝膠薄膜材料的制備過程,主要是以v205粉末、苯甲醇(BA)、異丙醇(IP)和SWENTs為原料,采用溶膠-凝膠法、提拉法鍍膜和溶劑替換的方法來制備.
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復(fù)雜斷面鋁擠壓模具真空淬火處理
真空淬火模具硬度十分均勻,通過回火后硬度可嚴(yán)格控制在HRC49—52范圍內(nèi),模具的各個(gè)斷面強(qiáng)度均勻而且有所提高,所以模具壽命有明顯提高。
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碳酸鈣業(yè)用干燥設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與特點(diǎn)
組合干燥設(shè)備應(yīng)該包括:提供熱源設(shè)備,一、二級干燥設(shè)備,尾氣收“塵”設(shè)備等,希望設(shè)備制造、研究單位在熱效率高、能耗低、配置簡單、控制方便等方面做文章,在組合干燥設(shè)備方面做文章,服務(wù)別人,發(fā)展自己。
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真空熱水鍋爐的工作原理
真空熱水鍋爐的結(jié)構(gòu)是由燃燒室(火爐)、水管、負(fù)壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。機(jī)體內(nèi)部為真空狀態(tài),與外部空氣隔絕,形成密閉狀態(tài)。
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電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面:鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法:生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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真空滲鋅與熱鍍鋅相比的優(yōu)點(diǎn)
真空滲鋅是一種清潔、環(huán)保的鋼鐵防腐新工藝,是一種在鐵素體狀態(tài)下的化學(xué)熱處理。本文講述了真空滲鋅與熱鍍鋅相比較所具有的優(yōu)點(diǎn)。
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真空輔助樹脂灌注樹脂制備
VARI(VacuumAssistedResinlnfusion,簡稱真空輔助成型)技術(shù)是一種新型的復(fù)合材料低成本、高性能成型技術(shù),近年來在航空領(lǐng)域受到廣泛的重視。
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靶電流對電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響
在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴(kuò)散,使膜層與基體間形成冶金結(jié)合。
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電弧離子鍍TiAlN涂層的熱疲勞及抗氧化性能
采用獨(dú)立的高純鈦、鋁靶,在TC4鈦合金基材表面以電弧離子鍍工藝沉積制備了TiAIN涂層.結(jié)果表明,TRAIN涂層表現(xiàn)出很好的熱疲勞抗力,顯著改善了鈦合金的高溫抗氧化性。
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TiC薄膜的性能研究
采用磁過濾直流電弧離子鍍法在不同的CH4分壓下制備了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相組成和微結(jié)構(gòu),用MCMS-1摩擦磨損測試儀,研究了不同CH4分壓對薄膜摩擦性能的影響,采用DURAMIN-10型丹麥全自動(dòng)顯微硬度
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生長參數(shù)對Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響
通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進(jìn)行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時(shí)間對Si1-xGex:C合金薄膜性質(zhì)的影響.
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非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復(fù)合薄膜機(jī)械性能研究
利用非平衡磁控濺射設(shè)備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜