靶電流對(duì)電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響
2020-04-18 真空技術(shù)網(wǎng) 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)
摘 要：采用高純鋁、鈦兩個(gè)靶材,分別在純鈦TA2和鈦合金TC11基材上沉積制備了TiAlN膜層.用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了膜層的形貌、用能譜儀(EDS)分析了膜層的成分.結(jié)果表明:在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴(kuò)散,使膜層與基體間形成冶金結(jié)合.
關(guān)鍵詞：電弧離子鍍;TiAlN;組織;成分
分類號(hào)：TG146.2 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A
文章編號(hào)：1672-7126(2008)增刊-064-04
Influence of Target Current on Microstructures and Stoichiometries of TiAlN Coating Deposited by Arc Ion Plating
Wang Shaopeng Pan Xiaolong Li Zhengxian Wang Baoyun Yan Peng Ji Shouchang
