摘　要：用化學氣相淀積方法在Si(100)襯底上外延生長Ge組分漸變的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時間對Si1-xGex:C合金薄膜性質的影響.結果表明,Si1-xGex:C外延層生長溫度和生長時間一定范圍內的增加加強了島與島之間的合并,促進了襯底Si原子向表面擴散、表面Ge原子向襯底擴散,且生長溫度比生長時間對Si、Ge原子互擴散的影響大.

　　關鍵詞：Si1-xGex:C合金薄膜;擴散;能量色散譜儀;化學氣相淀積

　　分類號：TN304.2　文獻標識碼：A

　　文章編號：1672-7126(2008)增刊-052-04

Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films

Mei Qin　 Han Ping　 Wang Ronghua　 Wu Jun　 Xia Dongmei　 Ge Ruiping　 Zhao Hong　 Xie Zili　 Xiu Xiangqian　 Zhang Rong　 Zheng Youliao