化學氣相沉積(CVD)的概念與優點

2008-11-05 admin 真空技術網整理

　　化學氣相淀積[CVD(Chemical Vapor Deposition)]，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。

　　CVD特點：淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優良。