氧化鋅(ZnO)薄膜的性能分析
ZnO具有熔點高、制備簡單、沉積溫度低和較低的電子誘生缺陷等優點。硅基生長的ZnO 薄膜有希望將光電子器件制作與傳統的硅平面工藝相兼容。另外，在透明導電膜的研究方面，摻鋁ZnO 膜(ZAO)也有同ITO 膜可比擬的光學電學性質，可在光電顯示領域用來作為透明電極。
ZnO薄膜的高電阻率與單一的C 軸結晶擇優取向決定了它具有良好的壓電常數與機電耦合系數，可用作各種壓電、壓光、電聲與聲光器件。具有中等大小電阻率的ZnO 薄膜是一種n 型半導體，其與一種適宜的p型半導體相結合可以在太陽能光電轉換領域中作為一種異質結。
因具有電阻率隨表面吸附的氣體濃度變化的特點，ZnO 薄膜還可用來制作表面型氣敏元件。通過摻入不同元素，可應用于還原性酸性氣體、可燃性氣體、CH 族氣體探測器、報警器等。此外，它還在藍光調制器、低損失率光波導、液晶顯示、光催化、電子攝影機、熱反射窗等領域具有潛在應用。
1、氧化鋅(ZnO)薄膜的光學性能
ZnO 薄膜在可見光范圍內光透射率高達90%，可以用作優質的太陽電池透明電極，然而它在紫外（UV）和紅外（IR）光譜范圍內透射率都比較低，這一性質被用作相應光譜區的阻擋層。
圖3 是沉積ZnO 薄膜的樣品與其基材石英玻璃片透射率的比較，內插圖為400~750 nm 的可見光范圍的結果比較。可以看出，在410~750 nm 的區間內，沉積ZnO 薄膜的樣品，其透射率均大于石英的透射率，最大可提高2.3%。由此可知制備出的ZnO 薄膜已經在一定程度上起到了增透膜的效果，這一結果有望在太陽能電池中得到應用。
圖4 是Al 摻雜ZnO（ZAO）薄膜作為透明導電膜的透射光譜和紅外反射譜。作為透明導電薄膜的一個顯著特性是在紅外段的高反射率，能反射大部分的熱輻射能量。將其應用于電子器件中，可避免電子器件吸收太多能量而造成升溫過快、過高，影響使用效果。
2、氧化鋅(ZnO)薄膜的電學性能
由于ZnO 薄膜中存在本征施主缺陷，如間隙Zn 原子、O空位等，使得ZnO 薄膜天然呈弱n 型導電。因此ZnO 薄膜的電阻率一般較高，在10-2 Ω·cm 數量級。但通過調整生長、摻雜或退火條件可形成簡單半導體薄膜，導電性能大幅提高，電阻率可降低到10-4 Ω·cm 數量級。
圖5 是Al 摻雜ZnO 薄膜的電阻率、電子密度和電子遷移率與（ZnO）1-x （ Al2O3）x 陶瓷靶材（x=w(Al2O3 )= 0、0.01、0.02、0.05）中Al2O3 質量分數的關系曲線[5]。可以看出，Al 摻雜ZnO 薄膜的電阻率隨靶材中Al 摻入量的增加呈現先減小后增大的特征，說明適量的Al 摻雜可以獲得導電性能較好的n 型Al 摻雜ZnO 薄膜。Al 摻雜ZnO 薄膜的電阻率最低為7.85×10-4 Ω·cm，這可歸因于該Al 摻雜ZnO 薄膜同時具有高電子濃度和較高電子遷移率。
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