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Er3+/Yb3+摻雜的ZnO薄膜光波導的特性研究

有機器件中低溫低損傷磁控濺射沉積透明導電薄膜技術的研究進展

索出一種低溫低損傷高速沉積性能優異透明導電薄膜的制備技術，是提高有機光電器件性能的關鍵。

鋁誘導晶化低溫制備多晶硅薄膜的機理研究

本文根據熱力學第二定律的Gibbs自由能描述，理論研究了AIC制備多晶硅薄膜的ALILE機理，同時結合理論研究和實驗結果理論計算了AIC制備多晶硅薄膜的激活能。

W含量對CrSiWN薄膜微觀結構、力學及摩擦性能的影響

采用射頻磁控濺射制備不同W含量的CrSiWN薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡、能量散射譜、納米壓痕儀和摩擦磨損實驗機對薄膜的相結構、形貌、成分和摩擦性能進行分析。

ZnO插層對超薄坡莫合金薄膜各向異性磁電阻的影響

本實驗以ZnO作為Ta(4nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)薄膜中Ta層和Ni81Fe19層界面處的納米氧化層，研究氧化層ZnO的插入對坡莫合金薄膜AMR的影響。

鍍膜技術對金屬薄膜性能與制備氫化物薄膜的影響

分析了熱蒸發、濺射和脈沖激光沉積三種鍍膜技術鍍金屬薄膜的性能特點。根據文獻報道數據，研究了三種鍍膜技術鍍金屬薄膜的成膜機理、晶格參數、膜力學性能的差別。

真空蒸鍍鍺摻雜多晶硅薄膜的研究

用掃描電子顯微鏡(KYKY-1000B)和顯微激光拉曼光譜儀(JY Labram HR 800)分析研究了不同摻雜分數的鍺成分對摻鍺多晶硅薄膜的表面形貌、組織結構及薄膜晶化率的影響。

鋁摻雜及溫度對氧化鋅薄膜發光特性的影響

本文中采用水熱法制備了摻鋁氧化鋅(AZO)納米結構薄膜，使用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)和變溫光致發光譜技術測試了薄膜的微結構和在低溫下的光致發光特性，并分析了鋁摻雜和溫度變化對氧化鋅光致發光譜的影響。

一種窄帶導模共振負濾光片的設計

由于弱調制光柵可以等效為平面波導, 本文從平面波導的本征方程出發, 導出垂直入射時弱調制光柵共振位置的表達式。

新型雙通道日夜濾光片的設計與鍍制

紅外相機和監控系統在日夜成像時使用日夜濾光片代替紅外截止濾光片, 以保證白天成像無色差, 同時晚上能成黑白像。

電致變色薄膜器件在空間中的應用前景

電致變色薄膜器件的光學性質可以隨外加電場而發生可逆的變化, 利用這種性質, 電致變色薄膜器件可以廣泛應用于建筑、汽車、航天等領域, 在節能、熱控等方面發揮作用。

不同襯底溫度下生長的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS 研究

采用固相反應法合成具有焦綠石立方結構的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN) 陶瓷靶材, 采用脈沖激光沉積法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100) 基片制備立方BZN 薄膜, 襯底溫度在500~ 700℃范圍內變化。

前驅膜疊層及硒化升溫方式對銅銦鎵硒薄膜性能的影響

以鈉鈣玻璃為襯底, 利用兩靶磁控濺射的方法, 選擇不同的疊層方式制備銅銦鎵前驅膜。

硒摻雜對NbS2形貌的影響及其摩擦學性能研究

通過固相合成NbS2及Se摻雜NbS2，采用X 射線衍射、掃描電鏡、能量色散譜分別分析了樣品中的相成分、微觀形貌和元素成分。

化學水浴法制備In2S3薄膜的組織和性能研究

采用化學水浴法在InCl3.4H2O 和CH3CSNH2 的酸性混合溶液體系中制備In2S3薄膜，并研究不同工藝下制備In2S3薄膜的晶相結構、表面形貌及光學性能。

ICP-CVD制備a-CHON及光學性能分析

采用外置電感耦合等離子體化學氣相沉積法, 以高純CH4/N2/ CO2/H2作為反應氣體, 制備出非晶的a-CHON薄膜。研究了放電功率對薄膜沉積速率、表面形貌及光學性能的影響。

雙波段3.0～5. 0μm 和7. 0～10. 0μm寬帶增透膜的研究

為了增加紅外窗口的透射率，研制了硫化鋅基底上的雙波段寬帶增透膜。膜系設計采用硫化鋅和氟化釔分別作為高、低折射率材料的多層膜結構。

多孔陽極氧化鋁有序陣列表面潤濕機制的研究

基于二次陽極氧化法制備的多孔陽極氧化鋁(AAO)有序陣列薄膜，研究了二次蒸餾水和1，2－二氯乙烷兩種液體在該結構化、化學異質表面的潤濕特性。

多孔Cr-TiO2/P3HT異質結薄膜的制備及光伏特性研究

采用溶膠-凝膠法，利用聚乙二醇2000(PEG 2000)，成制備了多孔Cr摻雜TiO2(Cr-TiO2)納米薄膜，并實現了PEG 2000 含量對Cr－TiO2薄膜多孔結構及其光透射特性的有效調制。

形核密度對金剛石薄膜表面形貌及其質量的影響

在2kW 微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD) 裝置中，采用CH4和H2作氣源，在最佳生長工藝參數條件下，可重復制備出高質量的金剛石薄膜。