真空鍍膜
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Ti/TiB2多層膜在Hank’s 模擬體液中耐蝕性研究
采用磁控濺射法在醫(yī)用鈦合金Ti6Al4V 和硅基體上沉積了Ti /TiB2多層膜。通過X 射線衍射儀分析了薄膜的相結構,采用掃描電鏡觀察了薄膜的表面形貌和斷面多層結構,利用電化學法研究了Ti /TiB2多層膜在Hank’s 模擬體液
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新型La2Zr2O7環(huán)境障涂層的1300℃熱沖擊行為研究
采用化學氣相沉積和原位合成工藝在Cf/SiC 基體上制備了Si/3Al2O3·2SiO2/La2Zr2O7 新型環(huán)境障涂層,研究了EBC 涂層在1300 ℃的抗熱沖擊性能。
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稀土Dy摻雜ZnTe薄膜光學性能及其XPS研究
本文利用真空蒸發(fā)雙源法制備了稀土元素Dy摻雜ZnTe薄膜,發(fā)現(xiàn)摻雜并沒有改變薄膜的物相結構,但對薄膜的結晶、形貌及光學性質(zhì)產(chǎn)生了明顯影響,為CdTe太陽電池背接觸層的進一步發(fā)展提供了實驗依據(jù)。
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雙排全幅寬無間隔布局快速蒸發(fā)ZnS鍍膜技術的研究
本文詳細介紹了雙排全幅寬無間隔布局快速蒸發(fā)ZnS 鍍膜技術的工作原理、結構組成、性能特點和創(chuàng)新設計要點。分析并指出影響ZnS 鍍膜質(zhì)量、生產(chǎn)效益的主要因素和解決途徑。
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ITO 薄膜方塊電阻測試方法的探討
針對ITO 薄膜方塊電阻測試方法,文章探討了常規(guī)的四探針法與雙電測四探針法在實際生產(chǎn)中的適應性、準確性。根據(jù)玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的結構、物理特性不同特點,測試方塊電阻時應注意的細節(jié)作
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襯底材料對空心陰極沉積氫化微晶硅薄膜的影響
研究了襯底材料對微晶硅薄膜生長的影響,并在低溫下制備出微晶硅薄膜,這個對于柔性基材尤為重要。具有高等離子體密度和低電子溫度的空心陰極等離子體增強化學氣相沉積(MHC-PECVD)被用來生長微晶硅薄膜。
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Cu(In,Al)(S,Se)2薄膜的三靶共濺射制備與性能表征
本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共濺射的工藝制備了CIA合金預制膜,以濺射的方式引入摻雜的Al元素。之后再經(jīng)過不同溫度和時間下的固態(tài)源硫硒化退火,以期研究制備出具有黃銅礦結構特征的CIASSe薄膜。
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離子轟擊對HIPIMS制備TiN薄膜結構和性能的影響
本文采用HIPIMS技術制備TiN薄膜,通過調(diào)整基底旋轉(zhuǎn)方式控制基體是否接受離子持續(xù)轟擊,進而研究離子轟擊對薄膜結構、表面形貌以及性能產(chǎn)生的影響。
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活塞環(huán)表面CrMoN復合薄膜的結構及摩擦學性能研究
本文采用閉合場非平衡磁控濺射技術,通過改變Mo靶電流值大小在活塞環(huán)表面制備了不同Mo原子百分含量的CrMoN復合薄膜,并對其化學成分、相結構、表面形貌進行研究。比較研究了電鍍Cr活塞環(huán)與CrMoN復合薄膜活塞環(huán)的硬度
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不同調(diào)制比NbSiN/VN多層膜微觀結構、力學和摩擦性能研究
本文設計了不同VN膜層厚度的NbSiN/VN多層膜體系,研究不同調(diào)制周期的NbSiN/VN多層膜微觀結構,力學和摩擦性能。
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直流電弧等離子蒸發(fā)法制備納米銀粉及其表面改性
本文制備的銀粉平均粒徑為54nm,粒徑分布在5~220nm區(qū)間,測試其在無水乙醇中的pH-zeta電位,并系統(tǒng)研究了表面活性劑種類、加入量及超聲時間對銀粉分散性能的影響,將該粉體應用在導電漿料中測試其電性能,并對其分散
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藍寶石鍍Ti/Ni復合膜及高溫預擴散的研究
本文主要研究了900 ℃ 下, 不同膜厚的鍍Ti/ Ni藍寶石在不同的保溫時間下的擴散效果, 研究了表面成分及微觀結構與其鍍膜厚度的關系, 從而總結出藍寶石的最佳鍍膜厚度及高溫預擴散工藝規(guī)律,該規(guī)律對今后的實踐應用
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微晶硅薄膜材料的沉積以及微結構與光電特性的研究
本文采用RF-PECVD技術,在較高的射頻功率和沉積氣壓條件下,通過改變硅烷濃度和襯底溫度等參數(shù),制備微晶硅薄膜材料。研究了沉積參數(shù)對微晶硅薄膜材料的微結構以及光電特性的影響,并研究了它們光電特性及其相關性。
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等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)及其應用研究
關于ALD技術和工藝的研究已經(jīng)較為深入,關于PEALD技術和應用的研究也越來越受到研究者的關注。為了深入研究PEALD的關鍵技術和工藝條件,作者設計了一套遠程脈沖PEALD系統(tǒng),并首次探索了其在原位沉積氮摻雜納米TiO2可
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外延BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的結構和性能研究
本文選擇用5%的Mn離子代替BiFeO3中的Fe離子,用磁控濺射的方法在SrTiO3單晶基片上外延生長了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜,探索制備外延薄膜的最佳工藝條件,分析沉積溫度對薄膜結構和電學性能的影響。
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