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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖。
反應磁控濺射的工作原理和遲滯現象的解決方法

反應磁控濺射技術是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分的化合物薄膜，可以在濺射純金屬或合金靶材時，通入一定的反應氣體，如氧氣、氮氣，反應沉積化合物薄膜，這就稱這反應磁控濺射。
非平衡磁控濺射的結構和運用

非平衡磁控濺射系統有兩種結構，一種是其芯部磁場強度比外環高，磁力線沒有閉合。另一種是外環磁場強度高于芯部磁場強度，磁力線沒有完全形成閉合回路。
平衡磁控濺射的概念和優缺點

平衡磁控濺射即傳統的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。
碳化釩薄膜的力學性能分析

利用微力學探針表征碳化釩薄膜力學性能，其硬度和彈性模量分別達到35.5GPa 和358GPa。隨著C2H2 分壓的提高,薄膜形成六方結構的γ-VC ,并逐漸產生非晶碳相,硬度和彈性模量隨之降低。
碳化釩薄膜的成分與微結構分析

利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力學探針等表征在Ar、C2H2 混合氣氛中通過反應磁控濺射法制備了一系列不同碳含量的碳化釩薄膜的微結構和力學性能。
反應濺射技術制備碳化釩薄膜的實驗

采用在Ar2C2H2混合氣體中的射頻反應磁控濺射技術可以方便地合成碳化釩薄膜。但是,碳化釩薄膜的化學成分、相組成、微結構以及相應的力學性能對C2H2 分壓非常敏感。
襯底溫度對ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜沉積速率隨襯底溫度的變化不大。
濺射功率對ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜的沉積速率隨濺射功率的增大幾乎成線性增長。
反應氣壓對ZAO薄膜沉積速率的影響

在反應氣壓增大的情況下, ZAO薄膜的沉積速率不斷上升, 達到最大值后, 又隨氣壓的增大不斷下降。
O2氣流量對ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜沉積速率隨O2氣流量的增加顯著降低, 靶面濺射模式由金屬模式轉變為氧化物模式，而且這種轉變趨勢在改變其他參數時依然明顯。
直流反應磁控濺射ZnO:Al薄膜的制備與膜厚的測量

直流反應磁控濺射法制備ZAO薄膜具有低的沉積溫度,高的沉積速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等優點。但是這種工藝的穩定性不易控制。
ITO薄膜的透射譜的建模及解譜

用直流磁控濺射法在普通載波片上制備了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分別在100、200、300 和400 ℃下退火1h.測量了退火前后幾個樣品的XRD 和透射率,利用橢偏解譜方法對幾個樣品的透射譜進行建模及解譜.
膜基結合力的劃痕法實驗分析

在瑞士CSM儀器的微劃痕測試儀對真空多弧離子鍍設備制備的WC2Co/TiN膜基結合力進行劃痕實驗,系統地介紹了如何利用MST劃痕儀所測的聲發射數據、摩擦力數據及光學、電子掃描劃痕形貌來綜合評定膜基結合力,并用WS292 劃
劃痕法評定膜基結合力的實驗方法

劃痕法是表征膜基結合力最廣泛、也是研究最多的一種方法。劃痕法表征膜基結合力的關鍵是如何判定臨界載荷。
退火溫度對氧化鎳(NiO)薄膜的影響

隨著退火溫度的升高，薄膜的晶粒尺寸增大，晶粒大小約10~60nm；500℃退火條件下制得的NiO 薄膜組成和結構較好，具有良好的電化學循環穩定性，有望成為高性能的全固態薄膜鋰電池陽極材料。
直流濺射并結合熱處理工藝制備氧化鎳薄膜

采用直流濺射并結合熱處理工藝在400～500℃退火溫度下制備了表面光滑、結構致密、無微孔和裂縫的納米晶NiO 薄膜.
反應濺射AlN 薄膜的動態特性

反應磁控濺射方法制備AlN薄膜是一種很普遍的方法,為了增強對該過程的理解,建立了反應濺射過程的動態模型.應用該模型分析了當氮流量增加或減少時,過程中的各個參數隨時間變化的瞬態行為.
氟化非晶碳膜的微結構分析

利用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)法,在不同的溫度下制備了氟化非晶碳膜.采用原子力顯微鏡(AFM)、X 射線光電子能譜(XPS)和傅里葉紅外吸收光譜(FTIR)等儀器對薄膜微結構進行了表征.
氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的性能測試分析

研究了輻照試驗前后ITO 樣品的光電性能變化，并用XPS和AFM對其組分及表面形貌變化進行了分析。結果表明，輻照后ITO薄膜的光學透過率變化不大；表面電阻有一定增加，但幅度不大，完全可以滿足防靜電的要求。