推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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PI襯底上電沉積Cu薄膜的晶面擇優取向
采用硫酸鹽電沉積法，利用X 射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)等手段研究了不同電沉積條件下在PI膜表面制備的Cu薄膜的晶面擇優取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。
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一種嶄新的鍍膜技術——等離子體束濺射
詳細描述一種等離子體高效濺射系統及應用工藝。此種嶄新的濺射技術結合了蒸發鍍的高效及濺射鍍的高性能特點, 特別在多元合金以及磁性薄膜的制備, 具有其他手段無可比擬的優點。
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新型等離子體束濺射鍍膜機
本文介紹了新型的等離子體束濺射鍍膜機的系統組成、特點、試驗結果等內容。該鍍膜機將等離子體發生和控制技術應用于濺射鍍膜中，克服了磁控濺射的靶材利用率低及難以沉積鐵磁性材料的缺點。
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不同襯底溫度下預沉積Ge對SiC薄膜生長的影響
分別在未沉積Ge 和不同襯底溫度(300、500、700 ℃) 沉積Ge條件下,利用固源分子束外延(SSMBE) 技術在Si襯底上外延SiC薄膜。通過反射式高能電子衍射(RHEED) 、X射線衍射(XRD) 、原子力顯微鏡(AFM) 和傅里葉變換紅外光
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PET纖維基AZO透明導電薄膜濺射工藝參數的優化
室溫下,結合正交實驗表,用射頻磁控濺射在滌綸(PET)非織造布基材上生長AZO(Al2O3:ZnO)納米結構薄膜。采用四探針測量儀測試AZO薄膜的方塊電阻,用原子力顯微鏡(AFM)分析薄膜微結構;通過正交分析法對實驗L9(33)AZO薄膜的
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在線紫外輻照輔助沉積柔性ITO薄膜的研究
本文在射頻磁控濺射過程中,引入在線紫外輻照,室溫條件下在有機襯底上制備柔性ITO薄膜的工藝,其最低方塊電阻為5Ω ,電阻率為2.5×10-4Ω·cm ,透光率為92% ,遠遠優于未采用紫外輻照制備的柔性ITO薄膜。
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ITO薄膜成份的深度分布和相結構XPS分析
用XPS測試經過磁控濺射工藝優化的ITO薄膜的結果表明:該ITO 薄膜的內部Sn 以SnO2 相存在,In 以In2O3 相存在,含量分別在518 %和85 %左右。
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ITO薄膜的磁控濺射關鍵工藝參數的優化
通過磁控濺射陶瓷靶制備ITO 薄膜的工藝實驗,研究了基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數對該薄膜光電性能的影響。實驗結果表明:當基底加熱溫度為295 ℃、濺射電壓為250V、氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %即主要工藝
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