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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的制備方法

利用ITO陶瓷靶及射頻磁控濺射工藝制備了氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜。
ZnO∶Mo薄膜的光學性能研究

ZMO薄膜的光禁帶寬度Eog約為3.41eV, 在可見光范圍內平均透過率達80%左右。
ZnO∶Mo薄膜的電學性能分析

ZMO薄膜的電阻率隨Mo離子摻雜量的增大而減小,在Mo 摻雜1.5wt% 時薄膜電阻率最小,為1.97 ×10 -3 Ω·cm, 而大于1.5wt% 時薄膜的電阻率逐漸增大
ZnO∶Mo薄膜的結構分析

ZMO薄膜的c軸比體材料ZnO的c 軸拉長了;并且隨著摻雜量的增加,c 軸有繼續增長的趨勢,即晶面間距也有增大的趨勢。
新型透明導電ZnO∶Mo薄膜的制備

采用直流磁控反應濺射技術成功制備了新型ZnO∶Mo(ZMO) 透明導電薄膜。研究了鉬摻雜量和基片溫度等參數對ZMO薄膜結構和光電性能的影響。
類金剛石薄膜的反應離子刻蝕的最佳刻蝕條件

研究了類金剛石薄膜的反應離子刻蝕工藝。對刻蝕工藝參數如刻蝕時間、有無掩膜、反應氣體的混合比、負偏壓等對刻蝕的影響做了較詳盡的研究。根據刻蝕規律。成功制備出“獨立”微齒輪, 并進行組裝。
工藝參數對類金剛石薄膜刻蝕速率的影響

工藝參數對類金剛石薄膜刻蝕速率的影響,刻蝕率相對穩定基本不隨時間變化,有無掩膜對刻蝕率影響不大,刻蝕率隨著氬體積百分含量的增大而降低。隨著負偏壓的增大先增大后減小。
類金剛石薄膜的反應離子刻蝕實驗

本文對電子回旋共振(electron cyclotronresonance,ECR) 微波反應離子刻蝕類金剛石薄膜進行研究,研究了主要工藝參數對刻蝕率的影響,刻蝕出結構完整、失真度小、獨立的微齒輪,并進行了組裝。
連續卷繞CPP鍍鋁膜設備的部件功能和工作過程

論述了雙冷卻鍍膜輥懸空平展鍍膜技術的技術原理和結構特性，及其在解決CPP 流延塑料薄膜基材表面鍍制鋁膜時出現亮暗條紋線難題中的顯著效果。并提出獨特的蒸發機構冷卻和自流式蒸發舟設置的特殊設計對提高大型寬幅高
高真空連續卷繞CPP鍍鋁膜設備的工作原理及特點

大型寬幅高真空連續卷繞鍍膜設備是專門用于CPP膜鍍鋁的專用設備，是目前我國自行研制的幅寬最大、效率最高的真空卷繞鍍鋁設備之一。
磁控濺射靶磁場結構優化后實際刻蝕效果與實驗

磁控濺射是現代最重要的鍍膜方法之一, 具有簡單, 控制工藝參數精確和成膜質量好等特點。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和離化率低等缺點。研究表明磁場結構對上述問題有重要影響, 本文介紹了一種磁控濺射靶磁路優
磁控濺射靶的磁場的優化設計

采用的是磁路疊加原理來改進磁控濺射靶的磁場，最后形成的水平磁場是接近于矩形波的雙峰形式。這樣靶面的磁力線和磁場強度的水平分量更加平滑, 能夠有效地增加靶面跑道的寬度, 實現靶面均勻刻蝕。
磁控濺射靶的磁場排布分析

在平面磁控濺射靶中, 磁鋼放置于靶材的后面, 穿過靶材表面的磁力線在靶材表面形成磁場。其中平行于靶面的磁場B 和垂直靶表面的電場E,形成平行于靶面的漂移場E×B。
濺射鋁膜的結構與表面形態分析

X射線衍射圖譜表明, 磁控濺射沉積的Al膜為多晶狀態。用掃描電子顯微鏡對薄膜進行表面形貌的觀察, 濺射氣壓為0.4Pa, 濺射功率為2600W時制備的Al膜較均勻致密。
直流磁控濺射的工藝參數對鋁膜沉積速率的影響

Al膜的沉積速率隨著濺射功率的增大先幾乎呈線性增大而后緩慢增大; 隨著濺射氣壓的增大, 沉積速率不斷增大, 在0.4 Pa 時達到最大值后, 沉積速率隨濺射氣壓的繼續增大而減小。
直流磁控濺射法在玻璃基片上制備鋁薄膜的工藝研究

采用直流磁控濺射方法, 以高純Al為靶材, 高純Ar為濺射氣體, 在玻璃襯底上成功地制備了鋁薄膜。
真空鍍鋁紙印刷工藝中應注意的問題

真空鍍鋁除要選擇質量優良的鍍鋁紙外，在印刷工藝設計上，應盡量利用鍍鋁紙的特性，揚長避短。真空鍍鋁紙適用于UV 油墨印刷，可用膠印、網印、凹印等，但不同的印刷方法對油墨的要求有所差異。
無柵網離子源的工作原理

無柵網離子源的工作原理類似于磁控濺射,陽極偏壓在磁力線束縛電子的區域產生高密度等離子體(high ne ionization region),離子的飛行軌跡不受磁場的影響,在偏壓VDC作用下加速向陰極飛行,在開口處形成能量為VDC離子束,
電子回旋共振(ECR)離子源的工作原理

ECR離子源微波能量通過微波輸入窗(由陶瓷或石英制成) 經波導或天線耦合進入放電室, 在窗上表面的永磁系統產生的高強磁場作用下, 放電室內的氣體分子的外層電子做回旋運動。
RF-CCP(電容耦合) 和RF-ICP(感應耦合)離子源的結構原理

電容耦合方式是由接地的放電室(由復合系數很小的材料如石英做成)和引入的驅動電極作為耦合元件，射頻ICP源的發射天線繞在電絕緣的石英放電室外邊,當通過匹配網絡將射頻功率加到線圈上時,線圈中就有射頻電流通過,于是