ZnO∶Mo薄膜的結(jié)構(gòu)分析
圖1中的特征譜線與ZnO薄膜六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的特征譜線相吻合,表明在摻入鉬原子以后,ZnO薄膜并沒有改變其結(jié)構(gòu)或形成新的晶格結(jié)構(gòu)。這說明Mo是以替代Zn的形式而形成ZMO薄膜的。最強(qiáng)的ZnO(002)晶面衍射峰出現(xiàn)在2θ為3413°附近;較弱的ZnO(004)晶面衍射峰出現(xiàn)在2θ為7213°附近;并且(002)晶面衍射峰強(qiáng)度比(004)晶面衍射峰強(qiáng)度大100 倍左右,表明ZMO薄膜具有良好的c 軸取向;ZMO薄膜(002)衍射峰的半高寬(FWHM)只有0136°左右,表明薄膜良好的結(jié)晶性能。
晶粒尺寸根據(jù)Scherrer公式D=0.89λ/ Bcos(θ)計(jì)算,其中D為晶粒尺寸;λ為X 射線波長(zhǎng); B為衍射峰的半高寬;θ為衍射峰所對(duì)應(yīng)的衍射角,對(duì)應(yīng)圖1(a)～圖1(c)中的衍射峰分別得到三種摻雜量的ZMO薄膜晶粒尺寸為24nm、2212nm、23nm,可以看出,本研究中摻雜量的改變范圍對(duì)ZMO薄膜的晶格結(jié)構(gòu)以及晶粒尺寸的影響不大。
圖1 用不同鉬含量的鋅靶在200 ℃下制備的ZnO∶Mo薄膜的XRD圖譜
ZMO薄膜晶格常數(shù)的計(jì)算可根據(jù)下面的公式:
其中h、k、l為晶面指數(shù); a、c為晶格常數(shù); d 為晶面間距。由Bragg 公式可知,晶格常數(shù)的精確度取決于sinθ的精確度,當(dāng)衍射線測(cè)量誤差Δθ一定時(shí),越接近90°(θ) 的衍射線,其sinθ值誤差越小, d值的誤差也越小,因此應(yīng)盡量選用高角度的衍射線條測(cè)量晶格常數(shù). 表1數(shù)據(jù)是取ZMO(004)晶面衍射峰所對(duì)應(yīng)的衍射角計(jì)算的結(jié)果。可以看出,ZMO薄膜的c軸比體材料ZnO的c 軸(015205nm)拉長(zhǎng)了;并且隨著摻雜量的增加,c 軸有繼續(xù)增長(zhǎng)的趨勢(shì),即晶面間距也有增大的趨勢(shì)。根據(jù)Bragg 公式,在X 射線波長(zhǎng)一定的情況下,晶面間距的增大必將引起衍射峰所對(duì)應(yīng)衍射角的減小,這正好和XRD測(cè)試數(shù)據(jù)相吻合,如表1所示。這與Mass等采用PLD法制備ZAO薄膜時(shí)的結(jié)果一致;徐自強(qiáng)等用sol2gel 方法在玻璃上制備鋁摻雜的ZnO透明導(dǎo)電薄膜,也發(fā)現(xiàn)了類似的現(xiàn)象。
表1 在不同鉬摻雜下的ZMO薄膜的晶格常數(shù)
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