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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

LiNbO3壓電薄膜的研究進展

LiNbO3因其優異的壓電性能和聲表面波特性而被廣泛應用于聲表面波器件中。
摩擦條件對摻鎢DLC膜摩擦磨損性能的影響

本研究利用SEM、AES、XRD、Raman 譜儀、納米壓痕儀、劃痕儀和球- 盤磨損實驗機對摻鎢DLC膜的微觀結構和摩擦學性能進行了研究
旋轉圓柱靶濺射沉積產額分布

采用數值計算模型，計算了旋轉圓柱靶濺射產額分布。
高氣壓下氫化微晶硅薄膜的高速沉積

利用甚高頻等離子增強化學氣相沉積（VHF- PECVD）制備了一系列微晶硅（μc- Si:H）薄膜。
高脈沖功率密度復合磁控濺射電源研制及放電特性研究

高功率脈沖磁控濺射技術（HPPMS）由于能夠產生較高的離化率而受到人們的重視。
AlYSi涂層組織結構及抗燃氣熱腐蝕性能

采用真空電弧離子鍍技術在K465鎳基高溫合金基材上制備了AlYSi沉積- 擴散型涂層。
閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍離化特性研究

應用閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍系統，研究了濺射靶電流、偏壓和Ar 流量對偏流密度的影響。
PECVD法沉積氫化非晶硅薄膜內應力的研究

利用等離子體增強化學氣相沉積技術在硅基底上沉積了氫化非晶硅薄膜,通過納米壓入儀、電子薄膜應力分布儀、傅里葉變換紅外光譜儀等表征技術,研究了沉積時的工藝參數對薄膜內應力的影響,對薄膜的本征應力、熱應力進
平面磁控濺射薄膜厚度均勻性的研究概述

在平面磁控濺射鍍膜系統中，薄膜厚度均勻性作為衡量薄膜質量和成膜系統性能的一項重要指標，得到了國內外學者們的廣泛研究。
Fe/Si多層膜經快速熱退火合成β-FeSi2薄膜的研究

采用磁控濺射儀在高阻Si(100)襯底上沉積了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多層膜,并在Ar氣氣氛下進行了1000℃,10s 的快速熱退火。
Al-C-N非晶薄膜結構及導電性研究

為了揭示Al-C-N 非晶薄膜的結構、導電性以及它們之間的關系,本文采用非平衡磁控濺射沉積技術在Si (100) 基體上沉積得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。
WO3薄膜退火溫度與Li+致色性能關系的研究

采用反應磁控濺射方法在ITO玻璃基片上制備WO3薄膜，并在不同溫度下進行退火處理。
基于PLC的直流電弧等離子噴射化學氣相沉積金剛石設備自動控制系統

基于PLC的直流電弧等離子噴射化學氣相沉積金剛石設備自動控制系統
小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究

從圓平面靶磁控濺射的原理出發，針對圓形平面靶面積小于基片面積的特點進行分析，建立膜厚分布的數學模型，并利用計算機進行模擬計算，目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時影響膜厚均勻性的因素
大面積VHF-PECVD反應室噴淋式平板電極間電場和流場數值模擬

以大面積噴淋式平板電極甚高頻等離子體增強化學氣相沉積(VHF-PECVD)反應室為研究對象,利用FlexPDE和CFD-ACE+ 商業軟件,對反應室電極間的電場和流場分布進行了數值模擬
磁控濺射制備納米二氧化釩半導體薄膜及表征

采用射頻磁控濺射法，結合氬氣氣氛退火工藝制備了VO2薄膜。
輔助PECVD的磁場模擬計算與分析

介紹了磁場輔助PECVD工作原理，磁場對沉積薄膜的影響。
織構ZnO:Al與p-μc-Si:H薄膜接觸特性的研究

用PECVD法在不同織構ZnO:Al上沉積了p-μc-Si:H薄膜，研究了不同織構ZnO:Al 與p-μc-Si:H 薄膜的接觸特性
磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復合薄膜及其鐵電鐵磁性研究

用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4（CFO）層狀結構磁電復合薄膜，測試結果顯示此磁電復合薄膜在室溫下同時存在鐵電性和鐵磁性
中頻磁控反應濺射AlN薄膜及微觀結構研究

采用中頻磁控反應濺射工藝進行了氮化鋁薄膜的制備，對沉積速率、晶體結構和表面形貌與氮氣流量和濺射功率之間的變化關系進行了研究