推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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基于溶膠凝膠法的二氧化錫復合薄膜的制備及表征
以金屬無機鹽SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和無水乙醇為原料,用溶膠凝膠法制備了SnO2和CuO摻雜的CuO-SnO2薄膜,并用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和電化學工作站對樣品進行了表征。
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基于差異進化算法的橢偏測量數據反演
為解決橢偏法測量薄膜厚度和折射率實驗數據處理較為復雜的問題,采用一種新的基于群體智能的優化算法—差異進化算法處理實驗數據;以單層吸收薄膜的測量為例,利用該算法進行數據處理,
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SiO2/聚酰亞胺/SiO2復合薄膜絕緣性能及基于聚酰亞胺復合薄膜的后柵型場致發射性能的研
使用射頻磁控濺射和化學溶液法制備了SiO2/聚酰亞胺(PI)/SiO2絕緣膜。分別使用X射線衍射、掃描電鏡對薄膜結構和薄膜表面形貌進行了表征
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p型微晶硅膜的研究及其在異質結太陽電池中的應用
首先采用射頻等離子體增強化學氣相沉積技術制備了電導率為0.13 S/cm、晶化率為50%的p型微晶硅,然后制備了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)異質結太陽電池。
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In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析
以在UHV/MBE-STM聯合系統上生長的19ML的InGaAs/GaAs樣品為研究對象,先在GaAs(001)襯底上外延生長0.37μm的GaAs緩沖層,再外延生長19ML的InGaAs,通過樣品生長速率大致確定其組分為In0.14Ga0.86As
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H2O+O2氣氛下電子束蒸鍍制備MgO介質保護膜特性研究
采用電子束蒸鍍法在H2O+ O2氣氛下制備了MgO介質保護膜,通過掃描電鏡、X射線衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌與晶體結構,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜對等離子屏放電特性的影響。
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CHN薄膜的制備方法與工藝研究
采用空心陰極等離子化學氣相沉積方法,以NH3/H2的混合氣體及CH4氣體為原料反應氣體,成功地制備了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉積速率與直流電壓及反應氣體流量的關系。
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直流熱陰極PCVD法間歇生長模式間歇周期的研究
采用直流熱陰極PCVD方法間歇生長模式，在CH4-H2氣氛常規制備微米晶金剛石膜的參數條件下，利用人工干預二次形核工藝，研究了間歇周期變化對制備納米晶金剛石膜的影響。
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含Ag2O型高密度聚乙烯基真空蒸鍍復合膜的抗菌性研究
本文通過真空蒸鍍法制備得到含銀型高密度聚乙烯(HDPE)基抗菌復合膜(Ag2O/HDPE) , 利用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡及原子吸收光譜法測試手段對膜進行了表征, 并考察了復合膜的抗菌動力學和抗菌長效性, 以及對細菌的
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濺射氣壓對碳化釩薄膜微結構與力學性能的影響
采用碳化釩靶的磁控濺射方法在不同的Ar氣壓下制備了一系列碳化釩薄膜, 利用能量分析光譜儀, X射線衍射,掃描電子顯微鏡, 原子力顯微鏡和微力學探針研究了氣壓對薄膜成分、相組成、微結構以及力學性能的影響。
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