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薄膜厚度對TGZO透明導電薄膜光電性能的影響

利用直流磁控濺射法, 在室溫水冷玻璃襯底上成功制備出了可見光透過率高、電阻率低的鈦鎵共摻雜氧化鋅( TGZO) 透明導電薄膜。

氣相沉積硅薄膜微結構及懸掛鍵缺陷研究

在單晶Si(100)基體上利用電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法制備硅薄膜, 并采用X射線衍射譜(XRD)、透射電鏡(TEM)、Raman光譜、電子自旋共振(ESR)波譜等實驗方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微結構及懸掛鍵密度的變

激光熱處理對類金剛石薄膜結構的影響

用真空陰極過濾電弧法沉積了厚度為2nm的類金剛石(DLC)薄膜, 研究了激光加熱退火時薄膜結構和表面粗糙度的變化, 分析了激光加熱功率對薄膜結構的影響。

CVD高純鈦成核熱動力學及鈦沉積速率分析

采用化學氣相沉積(CVD)法制備高純鈦。

磁控濺射TiAlN和WTiN薄膜的制備與摩擦性能研究

采用雙靶反應磁控濺射的方法在40Cr基體上制備了TiAlN薄膜和WTiN薄膜。

CAB玻璃基底不同方法制備的SiO2膜層性能研究

采用IAD、IBS、MS等三種方法在CAB玻璃上制備了SiO2膜層,通過納米壓痕和劃痕儀測量了膜層的納米硬度和摩擦系數;利用傅里葉轉換紅外光譜儀對薄膜光譜性能進行了測量;利用SEM,觀測膜層表面和斷面形貌。

不同退火工藝對AZO膜性能的影響

采用射頻磁控濺射技術,制備了綜合性能優良的AZO薄膜,通過不同退火工藝處理,研究了其對AZO薄膜的組織結構、電學性能及光學性能的影響。

摻鈦類金剛石膜的制備及在手表外觀件上的應用

為有效提高手表外觀件表面的耐磨、耐蝕性能和裝飾性能,采用陽極層流型氣體離子源結合非平衡磁控濺射技術,制備了梯度過渡摻鈦類金剛石(Ti-DLC)膜層,并對其在手表外觀件上的應用進行研究。

CuInS2薄膜的單源熱蒸發制備及其性能研究

以燒結合成的CuInS2粉末為原料,采用單源熱蒸發技術在玻璃基底上沉積CuInS2薄膜。

TiO2納米管上負載納米鐵的制備及其光電性能研究

AlN/WAlN/W太陽能選擇性吸收多層薄膜研究

真空沉積摻雜制備PARYLENE功能薄膜研究

介紹了高分子材料PARYLENE的真空沉積機理及其優越性和不足。

高功率脈沖磁控濺射氬氮比對ZrN薄膜結構及性能的影響

采用高功率復合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無空洞、又無大顆粒等缺陷。

CdS薄膜的制備及其在CdTe電池中的應用

CSS方法制備的薄膜結晶較大,光學和電學性能好于CBD方法制備的薄膜,太陽能電池的光電轉換效率達到10.9%.

半導體表面電學特性微觀四點探針測試技術研究進展

綜述了微觀四點探針技術近年來的研究進展,主要包括測試理論、系統結構與探針制備。

鎳硅顆粒膜的表面傳導電子發射特性

提出采用鎳硅顆粒薄膜作為表面傳導電子發射顯示的發射體材料，通過光刻和磁控濺射在兩電極（10 μm 間隙）之間制備30 nm 厚的鎳硅顆粒膜。

鍍膜裝置蒸發源發射形態與膜厚分布

根據蒸發源與基片之間的物理聯系入手，分析基片- - 蒸發源距離對基片涂層均勻性的影響，進而對蒸發源與蒸發源、蒸發源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點和看法。

磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設計方法

在現有的理論基礎之上，對濺射鍍膜的綜合設計方法進行了初步的建立和研究，系統的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動態設計理念，不斷完善設計方法，并將設計方法分為鍍膜設備工程設計、鍍膜工藝設計和計算

磁控濺射沉積二氧化釩薄膜及其電致相變特性研究

采用反應射頻磁控濺射技術在熔融石英玻璃襯底上制備了組分單一的二氧化釩薄膜。

SiC薄膜材料理論模擬研究的動態

SiC因其寬的禁帶寬度、高的電子飽和速度、大的臨界擊穿場強、高的熱導率和熱穩定性等特性而成為制作高頻、大功率和耐高溫器件的理想材料。