推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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脈沖激光沉積濺射工藝對CIGS薄膜成分和結構的影響
采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預制膜,后經硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線衍射儀表征了薄膜的晶體結構,采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子
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Cu薄膜三維生長的Monte Carlo模擬
利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法模擬了Cu薄膜在四方基底上的三維生長過程。模型中考慮了三個主要的原子熱運動過程:原子沉積、原子擴散、原子脫附,各過程發生的概率是由各運動的速率來決定的。
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直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究
用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導電薄膜,研究了濺射壓強和功率對GZO:Ti薄膜的微觀結構和光電性能的影響。
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本底真空度和殘余氣體對集成電路金屬薄膜淀積的影響
研究表明設備真空腔體微漏和極微量的殘余氣體對Al,W 金屬薄膜質量影響很大。從設備的角度提出改善真空度、減少殘余氣體的措施, 這些措施在實際生產中得到了驗證和應用, 達到減少設備停機 時間, 減少產品缺陷, 提高
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高性能SS-AlN金屬陶瓷真空太陽集熱管的制備
采用真空磁控濺射沉積SS-AlN金屬陶瓷太陽選擇性吸收涂層。涂層光學功能層的制備,先采用銅靶濺射Cu紅外反射層;再采用不銹鋼(SS)和鋁兩金屬靶在Ar和N2的混合氣體中同時濺射沉積SS-AlN金屬陶瓷吸收層;最后采用Al靶在Ar
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基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響
本文詳細地研究了基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響,隨著基片溫度的增加,濺射沉積速率下降明顯,薄膜的折射率也出現上升趨勢,薄膜也由低溫時的疏松粗糙發展為致密光滑。
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退火溫度和氣氛對GZO薄膜和LED器件性能影響
采用磁控濺射的方法將摻雜了三氧化二鎵的氧化鋅薄膜（GZO）沉積在p型氮化鎵襯底上并通過離子刻蝕制備出LED芯片，研究在空氣和氮氣氛圍不同溫度退火后的透過率和LED芯片在氮氣氛圍400℃退火后的性能。
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鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結構與腐蝕性能
金屬鈾的化學性質十分活潑,極易發生氧化腐蝕。本文采用磁過濾多弧離子鍍在金屬鈾表面制備Ti過渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
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溶膠凝膠法制備Cu摻雜ZnO納米薄膜及其表征
采用溶膠-凝膠法制備了不同Cu摻雜濃度的ZnO薄膜,并通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外可見分光光度計和伏安特性測試等研究了Cu摻雜量對薄膜微觀結構、表面形貌及光電特性的影響。
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脈沖激光沉積法制備立方焦綠石結構的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜
采用固相反應法合成具有焦綠石立方結構的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脈沖激光沉積法在Pt/SiO2/Si(100)基片制備立方BZN薄膜。研究了隨襯底溫度的變化,薄膜的結晶性能,微觀形貌以及介電性能的差異。
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