真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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鋼基CVD 金剛石薄膜的制備、微結(jié)構(gòu)及其機械性能的研究
通過本文的研究，在鋼基上CVD 金剛石薄膜的機械和耐腐蝕性能方面取得了明顯的突破，將有利于推動這種具有優(yōu)良性能的耐磨涂層體系的工業(yè)化應(yīng)用。
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高遷移率Al-In-Zn-O 氧化物薄膜晶體管的研究
為了降低工業(yè)化成本，溶液法制備TAOS-TFT 受到了研究人員的青睞。然而，溶液法制備的氧化物半導(dǎo)體薄膜由于缺陷的存在，從而使得器件的遷移率較低、關(guān)態(tài)電流較大。
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基于反鐵磁材料的室溫垂直交換耦合作用和隧道各向異性磁電阻效應(yīng)
研究了垂直磁化的Co/Pt 和面內(nèi)磁化的反鐵磁IrMn 之間的交換耦合作用，以及隧道結(jié)[Pt/Co]/IrMn/AlOx/Pt 的隧道各向異性磁電阻效應(yīng)(TAMR)。
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化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的紫外脈沖準(zhǔn)分子激光拋光
目前的熱化學(xué)拋光法、化學(xué)機械拋光法等接觸式拋光方法存在易使金剛石膜受損并可能引入其它缺陷和雜質(zhì)等缺點，限制了其應(yīng)用范圍。
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摻鋁氧化鋅薄膜的低溫發(fā)光特性
使用水熱法在石英襯底上制備了摻鋁氧化鋅薄膜，采用X 射線衍射儀, 掃描電子顯微鏡和低溫光致發(fā)光譜技術(shù)對薄膜的微結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能進行了表征。
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基于過濾陰極真空電弧鍍(FCVA)制備類金剛石薄膜(DLC)及其場發(fā)射性能分析
本課題通過FCVA 方法制備DLC 薄膜，利用拉曼光譜、AFM 等方法，分析其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，表征其微觀結(jié)構(gòu)形貌，并測試場發(fā)射性能。
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影響磁控濺射制備TiO2 薄膜性能的因素研究
從研究制備條件對Ti02薄膜的透射率及光學(xué)常數(shù)的影響出發(fā)，利用分光光度計測量薄膜的透射率，橢圓偏振光譜儀作為確定薄膜光學(xué)參數(shù)的測試儀器，研究了不同制備條件對Ti02薄膜光學(xué)特性的影響。
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Ar 離子轟擊CeO2-x(111)薄膜的共振光電發(fā)射研究
利用X-射線光電發(fā)射譜和同步輻射共振光電發(fā)射譜研究了外延生長的CeO2-x(111)薄膜在Ar 離子轟擊作用下電子態(tài)結(jié)構(gòu)的變化。
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含氫類金剛石薄膜的制備及其光學(xué)常數(shù)研究
利用非平衡磁控濺射技術(shù)制備類金剛石薄膜時，在放電氣體中引入含-CH3 原子團的甲烷氣體，即采用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)得到含氫DLC 薄膜。
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離子源對中頻反應(yīng)濺射沉積AlN 薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響
本文采用離子源輔助中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)沉積AlN 薄膜，通過中頻反應(yīng)磁控濺射解決了因“靶中毒”引起的“打火”和沉積速率大幅度下降的問題;同時利用離子源輔助沉積，進一步提高離化率，從而提高所沉積薄膜的質(zhì)量。
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高功率脈沖磁控濺射試驗平臺設(shè)計及放電特性研究
高功率脈沖磁控濺射(HPPMS)因其高離化率而得到廣泛關(guān)注，是目前的熱點研究方向，為此我們搭建了試驗平臺并對HPPMS 的放電特性進行了研究。
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摻氮類金剛石薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究
采用射頻等離子增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）制備摻氮類金剛石薄膜(DLC:N)，通過原子力顯微鏡,拉曼光譜和橢圓偏振光譜等對試驗樣品進行研究。
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離軸濺射法生長的BiFeO3 外延薄膜及其交換偏置效應(yīng)
多鐵性BiFeO3 薄膜吸引了人們廣泛的關(guān)注，并且有望應(yīng)用于磁電器件、自旋電子器件和微波器件等領(lǐng)域
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一種基于溶膠凝膠法的低溫制備氧化銦鎵鋅半導(dǎo)體薄膜的方法
非晶氧化物半導(dǎo)體因具有遷移率高、可見光透明性好、表面平整和可以室溫制備等優(yōu)良性能，作為非晶硅的替代材料受到廣泛的關(guān)注。
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高品質(zhì)金剛石厚膜的微波等離子體CVD沉積技術(shù)
金剛石膜擁有許多優(yōu)異的性能。在制備金剛石厚膜的各種方法之中，高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法因其產(chǎn)生的等離子體密度高，同時金剛石膜沉積過程的可控性和潔凈性好，因而一直是制備高品質(zhì)金剛石厚膜的首
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