磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4(CFO)層狀結構磁電復合薄膜,測試結果顯示此磁電復合薄膜在室溫下同時存在鐵電性和鐵磁性。在70V 極化電壓,室溫條件下,剩余極化強度(2Pr)和矯頑電場強度(2Ec)分別為77 μC/cm2 和678 kV/cm;飽和磁化強度(2Ms)和矯頑磁場強度(2Hc)分別為154 emu/cm3 和2.6 kOe。
1970 年,Aizu 根據材料的鐵電、鐵磁、鐵彈三種性質有一些相似點,將其歸結為一類,提出了鐵性材料的概念 。1994 年,Schmid 提出了多鐵性材料的概念,即具有兩種以上鐵性的單相化合物 。但是,鐵電性產生的必須因素是氧八面體中心的過渡金屬離子的d 電子軌道為空軌道,產生鐵磁性的必要條件是過渡族金屬離子的d軌道占據半滿的電子,然而d 電子的存在抑制了鐵電性的產生,因此這兩個因素很難同時滿足;并且鐵電材料通常是一種絕緣體,而鐵磁材料通常是導體。這些條件相互制約,使得同時具備鐵電性和鐵磁性的單相多鐵性材料非常稀少。
BiFeO3(BFO)是一種具有菱形扭曲的鈣鈦礦結構的多鐵性材料,室溫下同時具有兩種結構有序,即鐵電有序(Tc=1103 K)和G 型反鐵磁有序(TN = 643 K),是少數室溫下同時具有鐵電性和鐵磁性的多鐵性材料之一。研究結果顯示薄膜形態的BFO 比塊體材料的BFO 的Pr 值要大一個數量級,新加坡的J.Wang 在單晶SrTiO3 襯底上制備的BFO 薄膜的Pr 值達到50~150 μC/cm2。然而,BFO 的螺旋磁結構使得其在低磁場下僅表現極弱的鐵磁性。CoFe2O4 ( CFO)是一種尖晶石型晶體結構的磁性材料,具有磁各向異性高、矯頑場大、電阻率高,化學性能穩定等優點,因此,本實驗選用該鐵磁相材料,由BFO/CFO 組成復合相結構的多鐵性薄膜。
磁電效應是指多鐵性材料在鐵電相和鐵磁相的耦合乘積協同作用下,產生的復合效應,具有磁電性的磁電材料可以用于設計磁- 電- 力轉換器、磁傳感器、移相器、衰減器,及新型存儲器等器件[8]。因此,被廣泛的關注,成為當今功能材料的研究熱點。將鐵電、鐵磁兩相物質交替地沉積在基片上就可以得到2- 2 型疊層結構的磁電復合薄膜。由于這種結構的實用性以及制備工藝易于控制,使得人們對其進行了不斷的嘗試和探索。2004 年,H.Zheng 等報道了用激光脈沖沉積(PLD)法制備的2- 2 型BaTiO3/CoFe2O4 復合薄膜的磁電效應。注意到磁控濺射法具有速度快、易掌控,成本低等特點,我們選用前述兩種鐵電和鐵磁性能優越的材料(BFO、CFO),以疊層結構的方式,用該方法制備了磁電復合薄膜,并對其鐵點、鐵磁性能進行了研究。
1、實驗
實驗使用的鍍膜設備是中國科學院北京科學儀器研究中心生產的JED- 400 磁控濺射鍍膜機。BFO 靶是用分析純的Bi2O3 和Fe2O3 按摩爾比1:1 配比,在箱式爐中820℃燒結3 h 而成;CFO靶是用分析純的CoO 和Fe2O3 按摩爾比1:1 配比, 在箱式爐中1200℃ 燒結3 h 制得。
BiFeO3/CoFe2O4 復合磁電薄膜的制備分為兩步:第一步,在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上沉積一層150 nm的CFO 膜層,濺射功率為5.3 W/cm2,然后,在空氣氣氛下800℃退火3 h;第二步,在CFO 膜上再沉積一層800 nm 的BFO 膜層, 濺射功率為4 W/cm2,然后,在空氣氣氛下650℃快速退火30 min。為了對比實驗結果,同時分別制備了單一的BFO 膜和單一的CFO 膜。頂層Pt 點陣電極的制備采用直流濺射法, 以孔徑為0.1~0.15 mm 的掩膜片作掩膜, 濺射功率1.5 W/cm2,電極厚度控制在150 nm 左右。實驗中薄膜厚度的測量使用美國AMBIOS 公司的XP- 2 型臺階儀。圖1 BiFeO3/CoFe2O4 復合磁電薄膜的結構示意圖。
圖1 BiFeO3/CoFe2O4 復合磁電薄膜的結構示意圖
實驗中薄膜的晶體結構分析采用德國Bruker 公司的D8 ADVANCE- X 射線衍射儀,薄膜的表面形貌分析采用美國熱電公司生產的Autoprobe CP Research 原子力顯微鏡,鐵電測試采用美國Radiant 公司Precision Premier II 鐵電測試系統,薄膜的磁性能測試采用美國Lake ShoreCryotronics 公司的Lake Shore 7410 VSM 震動樣品磁強計。
3、結論
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4(CFO)復合磁電薄膜。檢測結果表明,除了CFO、BFO 和少量BFO雜項以外,并沒有其他化合物存在;復合膜結構在室溫下同時存在較好的鐵電性和鐵磁性,在70 V 極化電壓,1 kHz 頻率下, 剩余極化強度(2Pr)和矯頑電場強度(2Ec)分別為77 μC/cm2 和678 kV/cm;室溫條件下,飽和磁化強度(2Ms)和矯頑磁場強度(2Hc)分別為154 emu/cm3 和2.6 kOe。