推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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Ti-Al-Si-N涂層界面微結構研究
采用多元等離子體浸沒離子注入與沉積裝置制備Ti-Al-Si-N涂層，借助X射線衍射儀、X射線光電子能譜、透射電子顯微鏡、納米探針和原子力顯微鏡等系統(tǒng)研究涂層界面微結構與力學性能。
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電弧離子鍍與磁控濺射復合技術制備Ti/TiN/TiAlN復合涂層的組織結構與力學性能
采用磁控濺射和電弧離子鍍技術，在高速鋼基體上制備了Ti/TiN/TiAlN復合涂層。采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、顯微硬度計、微米劃痕儀等方法研究了鍍覆條件對復合涂層的形貌、組織結構和力學性能的影響。
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鈦表面等離子體氧化及其對細胞粘附增殖的影響
本試驗在噴砂酸蝕工藝處理獲得的鈦片試樣表面進行等離子體氧化，分析等離子體氧化后鈦試樣的表面形貌、化學組成、價鍵狀態(tài)、親水性和成骨細胞粘附增殖的情況。
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原子層沉積制備VO2薄膜及特性研究
本文旨在利用ALD 技術，以VO(acac)2和O2分別作為釩源和氧源，以玻璃為基底，在實現(xiàn)飽和吸附的前提下，通過改變沉積條件以及退火條件來研究不同反應溫度及退火條件對VO2薄膜結構及性能的影響，為后續(xù)VO2薄膜進一步研
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ECR等離子體刻蝕增強機械拋光CVD金剛石
本文采用ECR等離子體刻蝕與機械拋光相結合的方法拋光CVD金剛石，并與單純的機械拋光CVD金剛石相比較，發(fā)現(xiàn)在機械拋光中增加ECR等離子體刻蝕能明顯增強機械拋光效率，特別是在機械拋光前期，組合拋光效率是機械拋光效
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銀修飾氮摻雜TiO2薄膜的制備及光催化性能研究
本文采用磁控濺射法制備不同Ag含量的氮摻雜TiO2薄膜，并分析其形貌結構、表面元素化學態(tài)、光學性能以及可見光催化活性，研究Ag的含量對薄膜性能的影響。
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高溫真空鍍膜夾具的設計
對于要求整面鍍膜的大規(guī)格玻璃面板，鍍膜環(huán)境為高溫的情況下，采用傳統(tǒng)夾子夾持的方法，不能滿足大規(guī)格玻璃整面鍍膜的需要。提出一種新的思路，并設計了新夾具解決此問題。
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多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲器件的存儲特性研究
本文利用多層HfO2/Al2O3薄膜作為存儲層，借助脈沖激光和原子層沉積系統(tǒng)制備電荷陷阱存儲器件，并對器件的存儲特性進行了系統(tǒng)分析。
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DC-HCPCVD法低溫低壓下納米金剛石膜的制備及生長特性研究
本文在CH4/H2氣氛下，在低溫低壓下低成本生長納米金剛石膜，研究所得納米金剛石膜的組成結構特點，擴展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。
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Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脈沖激光沉積
本文采用PLD技術，在Si(111) 基片上制備Mg2Si薄膜，研究PLD工藝參數對Mg2Si薄膜制備的影響，通過工藝優(yōu)化制備得到純相、結構均勻、表面平整的Mg2Si薄膜。
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NaCl結構VC薄膜生長過程中原子遷移的第一性原理研究
本文采用第一原理計算的方法研究了C和V原子在NaCl 結構VC 表面和晶體內部(111) 面上的遷移條件，并在此基礎上討論了工藝參數對薄膜生長的影響。
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