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滲碳常見的五種缺陷和相應(yīng)的防止方法

本文講述了五種滲碳常見的缺陷和相應(yīng)的防止方法。

壓鋁模的加氧氮碳同滲

加氧氣氮碳共滲處理可在井式滲碳爐進(jìn)行，用液氨，氧氣和氮?dú)庾鳛闈B劑。

工業(yè)爐滲碳工藝的詳細(xì)介紹

滲碳是指使低碳鋼的工件具有高碳鋼的表面層，再經(jīng)過(guò)淬火和低溫回火，使工件的表面層具有高硬度和耐磨性，而工件的中心部分仍然保持著低碳鋼的韌性和塑性。

圓錐齒輪失效分析

用凈化后的天然氣代替甲醇-丙酮齒輪滲碳的質(zhì)量及經(jīng)濟(jì)效益

安徽星瑞齒輪傳動(dòng)有限公司已成功地以凈化后的天然氣代替甲醇-丙酮用于齒輪滲碳。

滲碳淬火件磨削裂紋形成的原因和防止措施

本文側(cè)重滲碳淬火件磨削裂紋的探討，同時(shí)希望各工廠、企業(yè)采用各種措施減少變形，達(dá)到不磨齒少磨齒以共勵(lì)之。

真空滲碳及碳氮共滲技術(shù)近況和應(yīng)用

在簡(jiǎn)述真空滲碳及碳氮共滲近況的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)介紹了乙炔真空滲碳及乙炔、氨氣真空碳氮共滲的效果及應(yīng)用。

真空滲碳均勻性測(cè)試

測(cè)定了30CrMnTi 鋼試樣在臥式雙室真空滲碳爐滲碳并爐冷或淬火后的滲碳層深度、有效硬化層深度和表面硬度的均勻性。

熱處理對(duì)25Cr-7Ni-4Mo-N鋼力學(xué)性能及顯微組織的影響

研究了熱處理時(shí)固溶溫度對(duì)25Cr-7Ni-4Mo-N雙相不銹鋼組織及力學(xué)性能的影響。

真空開關(guān)電弧形態(tài)幾何特性量化實(shí)驗(yàn)研究

為了研究真空開關(guān)電弧形態(tài)特性，針對(duì)真空開關(guān)電弧特點(diǎn)和電弧特性，設(shè)計(jì)并建立了一套以可拆卸真空滅弧室的真空開關(guān)電弧實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。

基于正交試驗(yàn)法TiO2納米薄膜的制備及光電性能的研究

以商業(yè)TiO2納米粉為原料，將其充分研磨得到膠體，用刮涂和熱處理的方法在氟摻雜氧化錫導(dǎo)電玻璃基底上制備TiO納米多孔薄膜陽(yáng)極，并組裝成染料敏化太陽(yáng)能電池。

基于PDMS微結(jié)構(gòu)模板轉(zhuǎn)印技術(shù)的研究

基于界面間粘附能理論，結(jié)合有限元模擬研究聚二甲基硅氧烷(PDMS)微結(jié)構(gòu)模板實(shí)現(xiàn)聚合物SU-8光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移復(fù)制的轉(zhuǎn)印機(jī)理，分析了微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印過(guò)程中基底表面能、壓力和SU-8膠溶劑對(duì)圖形轉(zhuǎn)印的影響。

冷噴涂Cu-Cu2O涂層微觀結(jié)構(gòu)與沉積特性

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)冷噴涂技術(shù)制備了Cu2O的質(zhì)量含量分別為0%，10%，20%和30%的四種Cu-Cu2O涂層。

磁耦合定向耦合器仿真設(shè)計(jì)

在分析波導(dǎo)中場(chǎng)模式基礎(chǔ)上，通過(guò)仿真計(jì)算和優(yōu)化，得出影響定向耦合器磁耦合的主要因素，并在此基礎(chǔ)上提出利用磁環(huán)耦合設(shè)計(jì)雙耦合度定向耦合器和可變耦合度的定向耦合器的設(shè)想。

多注行波管PPM聚焦磁場(chǎng)設(shè)計(jì)方法研究

對(duì)多注行波管周期永磁(PPM)聚焦結(jié)構(gòu)中橫向磁場(chǎng)的分布規(guī)律進(jìn)行了研究, 模擬分析了多注PPM聚焦系統(tǒng)中橫向場(chǎng)的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱特性, 并對(duì)該系統(tǒng)中的電子流通率進(jìn)行了分析。

淺析一泵式采鹵工藝節(jié)能效果

隨著采用高壓電機(jī)作為動(dòng)力、高壓力大流量的離心泵在電廠鍋爐給水的綜合運(yùn)用，充分發(fā)揮熱電聯(lián)產(chǎn)效能。

真空制鹽后期生產(chǎn)巧用石膏母液初探

鈣型巖鹽鹵水，在未完全采用鹵水凈化設(shè)施的生產(chǎn)條件下，如何解決真空制鹽生產(chǎn)后期石膏含量高的問(wèn)題，是業(yè)內(nèi)長(zhǎng)期研討的話題。

多弧離子鍍TiN/TiCrN/CrN多元多層復(fù)合膜的制備及性能研究

采用XH-800多弧離子鍍?cè)O(shè)備在硬質(zhì)合金刀具表面制備TiN/TiCrN/CrN多元多層復(fù)合膜。

高速微晶硅薄膜沉積功率利用效率的測(cè)量與優(yōu)化

為了實(shí)現(xiàn)低成本微晶硅薄膜的高速沉積，需要盡可能的優(yōu)化工藝參數(shù)，特別是提高功率利用效率對(duì)于降低生產(chǎn)成本，以及提高工藝穩(wěn)定性都具有重要的意義。

不同壓強(qiáng)時(shí)等離子體宏觀不穩(wěn)定性的數(shù)值模擬

為了數(shù)值模擬不同等離子體壓強(qiáng)和不同角向模數(shù)時(shí)，磁流體不穩(wěn)定性的演化規(guī)律，本文通過(guò)傅里葉變換，將理想磁流體方程組轉(zhuǎn)化為兩個(gè)一階微分方程。