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多弧離子鍍與磁控濺射聯用鍍制TiN/SiO2復合裝飾薄膜的研究
本文結合多弧離子鍍和磁控濺射兩種鍍膜方法的優點,制備了TiN/SiO2復合薄膜。通過掃描電鏡可以觀察到,制備的復合膜比單純的氮化鈦薄膜更加致密和光滑,基本消除了大顆粒的影響。
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真空脫氣裝置抽氣系統阻降過大分析研究
分析了造成真空脫氣裝置抽氣系統阻降過大的可能性原因,建立了適用于工程設計的計算模型,計算得出氣體冷卻器是造成阻降過大的主要原因,該文對未來真空脫氣設備工程應用具有一定的指導意義。
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基于二次優化策略的約束環內稀薄氣體粘度修正
本文從連續介質N-S方程出發,面對約束環微通道內的稀薄氣體流動特性,結合已有的一階滑移邊界模型和粘度修正模型擴展N-S方程,使其能夠求解約束環內過渡流區的流動特性。
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La摻雜對SnO2薄膜光學特性影響的第一性原理及實驗研究
目前為止,對于第一性原理的研究大多數都集中在F、Sb、In、Fe上,對稀土摻雜SnO2報道較少,本文結合理論與實驗對La 摻雜SnO2薄膜的光學性能進行分析,并為以后研究提供相應的參考依據。
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YSZ/STO/YSZ-STO超晶格電解質薄膜低溫電學特性
采用脈沖激光沉積法,在單側拋光的STO基底上制備YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡和射頻阻抗/材料分析儀對多層膜的物相結構、表面形貌以及電學特性等進行表征。
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等離子體增強原子層沉積Al2O3鈍化多晶黑硅的研究
本文使用金屬輔助化學法制備多晶黑硅,再經低濃度堿溶液處理優化黑硅結構,最后用PEALD沉積了不同厚度的Al2O3鈍化層。采用掃描電鏡、分光光度計和少子壽命測試儀對黑硅的表面形貌、減反射特性和少子壽命變化進行了分
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ZnO納米棒/CNTs復合陰極的制備及其場發射性能的研究
本文采用低成本和簡單的方式來實現ZnO納米棒和CNTs的復合,通過水熱法生成ZnO納米棒陣列,利用簡單的噴涂方法來獲得ZnO納米棒/CNTs復合陰極,該復合陰極有極優的場發射性能。
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CNTs/NbSe2/Cu基自潤滑復合材料的制備及其摩擦學性能研究
本文先制備了CNTs/NbSe2納米粉末復合材料,然后以Cu為基相,采用粉末冶金方法制備了CNTs/NbSe2/Cu基自潤滑復合材料。
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能量過濾磁控濺射技術室溫制備ITO膜的光電特性及其應用
本文利用該技術制備了TOLED器件的ITO陽極,研究了ITO薄膜的結構、光學和電學性能,測試了TOLED的發光效率并與DMS 技術制備的器件作了對比。
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Ti-Al-Si-N涂層界面微結構研究
采用多元等離子體浸沒離子注入與沉積裝置制備Ti-Al-Si-N涂層,借助X射線衍射儀、X射線光電子能譜、透射電子顯微鏡、納米探針和原子力顯微鏡等系統研究涂層界面微結構與力學性能。
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大批量微細刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗分析
本文以HFCVD沉積大批量微細刀具金剛石涂層系統為研究對象,利用有限容積法的仿真方法,對影響基體溫度場的多個工藝參數進行仿真與分析,并提出優化設計的方案。
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