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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

電弧離子鍍與磁控濺射復(fù)合技術(shù)制備Ti/TiN/TiAlN復(fù)合涂層的組織結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能

采用磁控濺射和電弧離子鍍技術(shù)，在高速鋼基體上制備了Ti/TiN/TiAlN復(fù)合涂層。采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、顯微硬度計、微米劃痕儀等方法研究了鍍覆條件對復(fù)合涂層的形貌、組織結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響。
鈦表面等離子體氧化及其對細(xì)胞粘附增殖的影響

本試驗(yàn)在噴砂酸蝕工藝處理獲得的鈦片試樣表面進(jìn)行等離子體氧化，分析等離子體氧化后鈦試樣的表面形貌、化學(xué)組成、價鍵狀態(tài)、親水性和成骨細(xì)胞粘附增殖的情況。
原子層沉積制備VO2薄膜及特性研究

本文旨在利用ALD 技術(shù)，以VO(acac)2和O2分別作為釩源和氧源，以玻璃為基底，在實(shí)現(xiàn)飽和吸附的前提下，通過改變沉積條件以及退火條件來研究不同反應(yīng)溫度及退火條件對VO2薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響，為后續(xù)VO2薄膜進(jìn)一步研
ECR等離子體刻蝕增強(qiáng)機(jī)械拋光CVD金剛石

本文采用ECR等離子體刻蝕與機(jī)械拋光相結(jié)合的方法拋光CVD金剛石，并與單純的機(jī)械拋光CVD金剛石相比較，發(fā)現(xiàn)在機(jī)械拋光中增加ECR等離子體刻蝕能明顯增強(qiáng)機(jī)械拋光效率，特別是在機(jī)械拋光前期，組合拋光效率是機(jī)械拋光效
濺射氣壓對Li-W共摻雜ZnO薄膜性能的影響

本文主要在不同濺射氣壓制備得到Li-W共摻雜薄膜(LWZO) ，分析了濺射氣壓對LWZO薄膜的結(jié)晶性能、表面形貌、光學(xué)性能的影響以及電學(xué)性能的影響。
銀修飾氮摻雜TiO2薄膜的制備及光催化性能研究

本文采用磁控濺射法制備不同Ag含量的氮摻雜TiO2薄膜，并分析其形貌結(jié)構(gòu)、表面元素化學(xué)態(tài)、光學(xué)性能以及可見光催化活性，研究Ag的含量對薄膜性能的影響。
固態(tài)碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究

本文主要探索了固態(tài)源溫度變化對石墨烯生長的影響，并采用固態(tài)源動態(tài)變溫的方法生長了石墨烯，有效提高了所得石墨烯薄膜的覆蓋率。
行星周轉(zhuǎn)鍍膜裝置設(shè)計

針對現(xiàn)有的蒸鍍圓柱形腔體杜瓦鍍膜工藝存在工藝繁瑣、膜層不均勻等問題，設(shè)計了行星周轉(zhuǎn)鍍膜裝置。
退火溫度對CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性的影響

本文采用脈沖激光沉積方法，將Ⅳ族元素Ge摻雜在CuGaSe2中，在鈉鈣玻璃上沉積一定厚度的納米薄膜，研究了退火溫度對薄膜晶體結(jié)構(gòu)和成分的影響，表征了薄膜的表面形貌，分析了薄膜的光學(xué)特性。
基于真空吸附的微器件受力分析研究

本文針對MEMS機(jī)構(gòu)中平板類微器件設(shè)計了一種基于真空吸附的微夾持系統(tǒng)。重點(diǎn)對微器件在不同吸附與釋放條件下進(jìn)行了它的受力分析，建立了力學(xué)模型，為實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的吸附提供了計算依據(jù)。
ITER校正場線圈圓弧段真空壓力浸漬充模數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)

為優(yōu)化國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆校正場線圈的真空壓力浸漬工藝，對線圈圓弧段的充模過程進(jìn)行了基于Darcy定律的數(shù)值模擬和工藝實(shí)驗(yàn)。
真空管道HTS磁浮系統(tǒng)中振動耗能法電磁制動分析

本文討論在真空管道高溫超導(dǎo)(HTS)磁浮系統(tǒng)中運(yùn)行的車體利用振動耗能的原理實(shí)現(xiàn)制動。在西南交通大學(xué)超導(dǎo)與新能源研究開發(fā)中心的真空管道HTS磁懸浮實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)上實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了此方法的合理性與實(shí)用性。
真空鍋爐現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢的研究

本文從增強(qiáng)真空鍋爐換熱穩(wěn)定性、強(qiáng)化凝結(jié)換熱、提高能量利用效率等方面對影響真空鍋爐整體性能的因素進(jìn)行系統(tǒng)的分析，真空鍋爐現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢的研究，總結(jié)了真空鍋爐現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
真空絕熱板熱橋效應(yīng)傳熱模型分析與優(yōu)化

本文在前人研究的基礎(chǔ)上建立真空絕熱板邊緣線性傳輸率的模型并加以分析，提出更加全面的真空絕熱板熱橋效應(yīng)優(yōu)化措施，找到優(yōu)化創(chuàng)新點(diǎn)，對VIPs的推廣應(yīng)用具有重大的指導(dǎo)意義。
雙斷口真空斷路器開斷特性的試驗(yàn)與仿真研究

為分析雙斷口真空斷路器的開斷特性，建立了雙斷口真空斷路器的合成開斷試驗(yàn)平臺和基于一種改進(jìn)真空電弧模型的電磁暫態(tài)仿真平臺。
平板觸頭分離過程直流真空電弧形態(tài)與電壓特性

本文首先介紹了基于可拆卸滅弧室的真空電弧研究平臺，利用該平臺研究了在不同幅值的近似恒定直流條件下，平板觸頭分離過程中真空電弧形態(tài)演化和電弧電壓特性，并就實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論。
即食杏鮑菇熱風(fēng)-真空聯(lián)合干燥工藝優(yōu)化

為了充分利用工廠化栽培杏鮑菇加工副產(chǎn)物(菇頭)，對其進(jìn)行聯(lián)合干燥開發(fā)成即食杏鮑菇休閑產(chǎn)品。
電推進(jìn)技術(shù)在全電推進(jìn)衛(wèi)星平臺的應(yīng)用研究

文章介紹了全電推進(jìn)衛(wèi)星平臺的進(jìn)展情況析了全電推進(jìn)衛(wèi)星平臺的任務(wù)需求，介紹了全電推進(jìn)系統(tǒng)方案及應(yīng)用模式，最后分析了全電推進(jìn)平臺對電推進(jìn)的主要性能需求。
電推進(jìn)軌道轉(zhuǎn)移效益與風(fēng)險

電推進(jìn)作為一種先進(jìn)的推進(jìn)技術(shù)，具有比沖高的突出優(yōu)勢，是提升衛(wèi)星性能的重要技術(shù)，在國外高軌軍事衛(wèi)星平臺和商業(yè)衛(wèi)星平臺上均得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)前我國已突破電推進(jìn)單機(jī)技術(shù)，并得到在軌飛行驗(yàn)證。
電子束蒸發(fā)TiO2膜通氧量對薄膜光學(xué)性能的影響

文章研究了離子束輔助電子束蒸發(fā)鍍制TiO2薄膜的通氧量對薄膜性能的影響，獲得最優(yōu)的鍍制工藝以及最好的薄膜光學(xué)特性。