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高功率脈沖磁控濺射制備TiNx涂層研究

本文利用高功率復合脈沖技術制備TiNx涂層，電源能量輸出采用直流與脈沖疊加形式，主要研究氮氣流量對膜層性能的影響，并與直流磁控濺射沉積涂層進行對比研究。

磁控濺射AlN/Cu納米復合涂層的性能研究

本文通過雙靶反應磁控濺射的方法制備得到了一系列Cu含量不同的A-lCu-N涂層，將Cu含量最高擴展到了17.0%。

基體偏壓對高功率脈沖磁控濺射制備類石墨碳膜的影響研究

采用高功率脈沖磁控濺射技術于Si基底表面制備了類石墨碳膜, 研究了基體偏壓對薄膜沉積速率、微觀結構、力學性能及摩擦學性能的影響規律。

電子回旋共振波射頻濺射系統設計

本文以ECWR技術為背景，介紹了一種電子回旋共振波射頻濺射鍍膜系統的設計。

復雜工件表面磁控濺射鍍膜均一化控制的研究

介紹了復雜型腔工件表面薄膜涂覆機理與技術特點。

基于PLC的磁控濺射溫度控制系統設計

本文以西門子S7-300可編程控制器(PLC)為控制核心，通過觸摸屏構成人機交換界面(HMI)，論述了磁控濺射溫度控制系統的性能特征與控制方法。

Cu層濺射時間對兩種ZnO復合透明導電薄膜光電性能的影響

a-C:H膜在不同真空度下的摩擦學行為研究

隨著真空度的升高，a-C:H薄膜的摩擦系數逐漸減小，磨損率逐漸增大。

本底真空度對磁控濺射法制備AZO 薄膜的影響

采用直流磁控濺射方法在平板玻璃基體表面沉積AZO薄膜，研究了本底真空度對薄膜厚度、方塊電阻以及在300 ～1100nm波長范圍內透過率的影響。

光譜擬合法確定一種鈣鈦礦結構薄膜材料的復數光學常數

為了獲得一種鈣鈦礦結構鑭鍶錳氧薄膜材料的復數光學常數, 利用光學薄膜原理和數學優化方法,對磁控濺射技術制備的不同厚度的鑭鍶錳氧薄膜。

SrHfON高k柵介質薄膜的漏電特性研究

采用射頻反應磁控濺射法在p-Si(100) 襯底上成功制備出SrHfON高k柵介質薄膜, 并研究了Au/SrHfON/Si MOS 電容的漏電流機制及應力感應漏電流(SILC)效應。

航天器柔性熱控薄膜研究現狀

環境至關重要。本文針對空間熱控技術發展要求, 綜述了國內外柔性熱控薄膜材料的技術指標以及應用現狀。

真空環境中多場耦合對Au/Cu/Si薄膜界面結構的影響

采用磁控濺射方法在Si基底上制備了Au/Cu薄膜。利用掃描俄歇微探針納米化分析技術進行表面成分分析與深度剖析, 研究在真空環境中, 紫外輻照、微氧氧含量及處理溫度等因素作用對Au/ Cu薄膜界面結構的影響。

離軸磁控濺射生長鈣鈦礦外延薄膜

本文從磁控濺射原理出發分析離軸磁控濺射相對于其他外延薄膜生長方式的優勢, 介紹了離軸磁控濺射的發展。

可調脈沖功率(MPP)磁控濺射電源研制及放電特性的研究

可調脈沖電源MPP（modulated pulsed power）磁控濺射技術是一種新型的高功率磁控濺射技術。

直流磁控濺射中磁場強度和陰極電壓對圓平面靶刻蝕形貌的影響

本文借助Comsol和Matlab軟件模擬了直流磁控濺射圓平面靶系統的磁場分布和荷電粒子分布，對不同磁場強度和陰極電壓條件下的荷電粒子分布進行了模擬分析。

工作氣壓對室溫磁控濺射CIGS膜的影響

研究了工作氣壓對磁控濺射法制備CIGS薄膜的影響, 采用X 射線衍射, 掃描電鏡, X 射線螢光光譜和X 射線能量色散譜分析了膜層的組織和成分。

射頻磁控濺射沉積Al/Al2O3納米多層膜的結構及性能

運用射頻磁控濺射技術在Si(100) 基片及40Cr鋼基體上制備了調制周期K= 60nm, 調制比G= 0.25~3的Al/A12O3納米多層膜。

常用的幾種塑料真空鍍膜材料

常用的幾種塑料真空鍍膜材料有：ABS塑料、聚酯、聚乙烯、聚氯乙烯等。

如何挑選真空鍍膜的塑料材料

什么樣的塑料才能用真空鍍膜機鍍膜呢，本文歸納了三種真空鍍膜的塑料材料。