電子回旋共振波(ECWR)技術于20 世紀70 年代提出，是利用電磁波與電學各向異性材料(如帶有外加靜磁場的低壓等離子體)的相互作用來產生等離子體的。ECWR 技術有產生高密度等離子體、離子能量可控制在很窄的范圍內、離子能量和離子流量可獨立控制等優點，可有效控制薄膜的生長過程。本文以ECWR 技術為背景，介紹了一種電子回旋共振波射頻濺射鍍膜系統的設計。

　　隨著電子制造、機械加工、醫療器械制造等行業的不斷發展，人們常利用真空鍍膜技術進行材料的表面改性。射頻濺射技術于80 年代用于制作CD 的反射層之后得到極大的發展，逐步成為制造許多產品的一種常用手段，是適用于各種金屬和非金屬的一種鍍膜方法。但射頻濺射技術產生的等離子體密度低，成膜速率慢，且靶材利用率低。于20 世紀70 年代發展起來的電子回旋共振波(ECWR)技術可在反應室內部不包含任何激發電極的情況下，產生低壓高密度等離子體，并能夠很好的控制所產生的等離子體的參數。本文將該技術用于傳統射頻濺射系統中，以提高其靶材利用率并提供優良性能的等離子體。國內外研究人員現已應用這種技術制備多種半導體薄膜。本文以ECWR 技術為基礎，介紹一種真空鍍膜裝置的設計與計算。

1、工作原理及特點

　　ECWR 等離子體的產生是依靠電磁波與電學各向異性材料(如帶有外加靜磁場的低壓等離子體)的相互作用來實現的。圖1 顯示了電磁波平行于B軑 0 的傳播圖。當電磁波進入等離子體區域時，分裂為左旋偏振分量和右旋偏振分量兩部分，這兩部分具有不同的傳播特性。當電磁波頻率ω 小于截斷頻率ωL 時，左旋偏振分量由于趨膚效應迅速衰減， 阻礙它穿過等離子體；當ωC<ω<ωR 時，右旋偏振分量也會發生同樣的情況，其中ωC 為電子回旋頻率，ωC=(e0/me)B0。截斷頻率ωL 的值由等離子體頻率ωpl 和磁場B軑 0 來確定。對于電子密度在1010 cm-1 量級的等離子體，截斷頻率ωL 一般在10 GHz 左右。從圖1 可以看出，右旋偏振分量在頻率低于ωC 的波段存在折射率nR大于1 的傳播途徑。該右旋偏振分量按平行于磁場的方向通過傳導介質，一般稱之為電子回旋波。借助電磁波與等離子體的相互作用，電子能量被轉移至等離子體中，從而導致等離子體密度的大幅度提高。通過優化工藝參數實現共振激發，從而在等離子體系統中形成駐波。

圖1 右旋偏振分量(上圖)和左旋偏振分量(下圖)的分化圖

　　圖2 給出了ECWR 系統的原理圖，射頻能量通過單匝線圈感應耦合到等離子體中，橫向靜磁場約束該等離子體，使得等離子體中的射頻電磁波形成右旋偏振分量和左旋偏振分量，其中一個分量的折射率大幅度增加，波長減小，從而形成半波長的駐波通過真空室，通過共振耦合將能量傳遞到等離子體中。ECWR 系統產生的等離子體密度可高達1012 cm-3 或更高，并能夠獨立控制離子能量和離子流量。該系統能提供一個低于5%的離子能量分布狹區。

圖2 ECWR 源的原理圖

　　該系統還有如下特點：

　　(1) 在很低的壓力下(10^-2 Pa 到10^-1 Pa)仍可獲得高的電離度，離子束電流密度會達到幾mA/cm2；

　　(2) 幾乎在任何形狀的真空室都可以發生ECWR；

　　(3) 無電極的射頻等離子體不會受到電極材料的污染。

4、真空抽氣系統的選擇

　　該裝置真空室尺寸較小，但對本底真空度要求較高，屬于高真空范圍，且要求真空室無油霧污染，故選擇FF160/500 復合分子泵作為主泵。該泵泵口較電感耦合子系統的石英管直徑大很多，故需要在泵口加封頭和相應的快接法蘭管以滿足鍍膜需要。

5、結語

　　本文所設計的電子回旋共振波射頻濺射裝置采用ECWR 系統產生等離子體，在低壓范圍內可產生高密度等離子體，沉積速率高，離子能量范圍窄，可制備高質量薄膜。