推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點是靶材表面的磁場達不到正常磁控濺射時要求的磁場強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。
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能量過濾磁控濺射技術室溫制備ITO膜的光電特性及其應用
本文利用該技術制備了TOLED器件的ITO陽極，研究了ITO薄膜的結構、光學和電學性能，測試了TOLED的發光效率并與DMS 技術制備的器件作了對比。
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低溫等離子體輔助脈沖直流磁控濺射制備TiN薄膜
采用一種新型的等離子體輔助脈沖直流磁控濺射濺射沉積方法，在低溫狀態下制備了氮化鈦薄膜，并對氮化鈦薄膜進行了表征，研究了等離子體源在薄膜制備過程中的作用。
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射頻磁控濺射法沉積SiC-Al薄膜的摩擦特性
通過使用雙靶位磁控濺射設備在Ti-6Al-4V合金上沉積了SiC-Al 薄膜，著重研究了Al原子的濃度對SiC-Al薄膜的摩擦系數的影響以及Al中間層對界面強度的影響。
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MgO/Au復合薄膜的反應射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究
本文采用反應射頻磁控濺射法制備MgO/Au復合薄膜，比較了Mg靶和Au靶共濺射、分步濺射制備復合薄膜的表面成分及形貌，研究了濺射時襯底溫度和Ar/O2氣體流量比對薄膜晶粒分布、晶粒尺寸和結晶取向的影響。
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制備工藝對磁控濺射Mo-N薄膜微結構和性能的影響
本文采用射頻磁控濺射的方法，通過改變反應環境中的Mo 靶功率、氬氮比、負偏壓等制備一系列的Mo-N 薄膜，利用X 射線衍射儀、納米壓痕儀、掃描電子顯微鏡和摩擦磨損測試儀對其相結構、顯微硬度和摩擦性能進行研究。
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濺射靶材對TiAlN涂層形貌、結構和力學性能的影響
本文通過設計兩種靶材，分別是粉末冶金方法和真空熔煉方法制備的原子比為Ti50Al50的合金靶材，在同一磁控濺射設備及同一濺射工藝條件下進行鍍膜實驗，研究不同組織結構的Ti50Al50合金靶材對TiAlN涂層的組織結構和性
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濺射膜電極與氧化鋅壓敏陶瓷的界面機制研究
利用濺射法制備半導體陶瓷表面的電極有著廣闊的產業化前景，但關于濺射膜電極與陶瓷表面的界面機制研究尚鮮有報道。本文采用磁控濺射法在ZnO壓敏陶瓷表面制備了Cr+Cu電極，通過X射線光電子能譜等技術研究分析了Cr/Zn
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FeCoB-Al2O3軟磁顆粒膜磁特性研究
為了獲得軟磁顆粒膜，本實驗采用了更易控制薄膜成分的射頻雙靶共濺射制備了一系列的( Fe40Co40B20)1 - x( Al2O3)x軟磁顆粒膜。通過振動樣品磁強計( VSM) 以及矢量網絡分析儀( VNA) 的測量，研究了基片轉速、濺射氣壓
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