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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

真空在鍍膜工業(yè)中的應(yīng)用

真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。此外還有化學(xué)氣相沉積法。
等離子體輔助ITO薄膜低溫生長

等離子輔助可以有效控制ITO薄膜的結(jié)晶程度和晶粒尺寸以及晶界結(jié)構(gòu),在優(yōu)化條件下,在PET基體上制備出電阻率為1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
V2O5復(fù)合薄膜材料的制備

V2O5復(fù)合氣凝膠薄膜材料的制備過程,主要是以v205粉末、苯甲醇(BA)、異丙醇(IP)和SWENTs為原料,采用溶膠-凝膠法、提拉法鍍膜和溶劑替換的方法來制備.
電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
靶電流對(duì)電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響

在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴(kuò)散,使膜層與基體間形成冶金結(jié)合。
電弧離子鍍TiAlN涂層的熱疲勞及抗氧化性能

采用獨(dú)立的高純鈦、鋁靶,在TC4鈦合金基材表面以電弧離子鍍工藝沉積制備了TiAIN涂層.結(jié)果表明,TRAIN涂層表現(xiàn)出很好的熱疲勞抗力,顯著改善了鈦合金的高溫抗氧化性。
TiC薄膜的性能研究

采用磁過濾直流電弧離子鍍法在不同的CH4分壓下制備了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相組成和微結(jié)構(gòu),用MCMS-1摩擦磨損測試儀,研究了不同CH4分壓對(duì)薄膜摩擦性能的影響,采用DURAMIN-10型丹麥全自動(dòng)顯微硬度
生長參數(shù)對(duì)Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響

通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進(jìn)行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時(shí)間對(duì)Si1-xGex:C合金薄膜性質(zhì)的影響.
非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復(fù)合薄膜機(jī)械性能研究

利用非平衡磁控濺射設(shè)備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。
工藝參數(shù)和熱處理溫度對(duì)ZrW2O8薄膜制備的影響

隨著濺射功率的增加,薄膜沉積速率增加;而隨著工作氣壓的增加,薄膜沉積速率先增加后減小;磁控濺射沉積制備的ZrW20s薄膜為非晶態(tài),表面平滑、致密。
AZ31鎂合金表面復(fù)合鍍膜工藝研究

研究了在AZ31鎂合金表面依次進(jìn)行浸鋅、化學(xué)鍍鎳、電鍍銅、電弧離子鍍Cr/CaN的復(fù)合鍍膜工藝。
脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

類金剛石碳膜以其優(yōu)異的性能,諸如高電阻率、高硬度、低摩擦系數(shù)、良好的光學(xué)特性等顯示出良好的應(yīng)用前景,越來越受到人們的關(guān)注.本文利用脈沖輝光PECVD在不同的脈沖電壓下成功地制備了DIE薄膜.
離子束流和基底溫度對(duì)ZrN/TiAlN納米多層膜性能的影響

大部分多層膜的納米硬度與彈性模量值都高于兩種個(gè)體材料硬度的平均值,當(dāng)輔助束流為5 mA時(shí),多層膜硬度達(dá)到30.6 GPa.基底溫度的升高,會(huì)顯著降低薄膜的殘余應(yīng)力,但對(duì)薄膜的硬度,摩擦系數(shù)沒有明顯影響.
調(diào)制周期對(duì)TiB2/TiAlN納米多層膜機(jī)械性能的影響

利用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫下合成了具有納米調(diào)制周期的TiB2/TiAlN多層膜.分別采用表面輪廓儀、納米力學(xué)測試系統(tǒng)、多功能材料表面性能實(shí)驗(yàn)儀和XRD,分析了調(diào)制周期對(duì)TiB2/TiAlN納米多層膜機(jī)械性能的影響.
ZnO:Mn稀磁薄膜光學(xué)性質(zhì)和鐵磁行為分析

采用脈沖激光沉積技術(shù)在藍(lán)寶石(α-Al2O3)襯底上制備了不同Mn摻雜濃度的ZnO薄膜.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,合適濃度的Mn的摻人,有利于ZnO:Mn薄膜(002)生長而不形成Mn的氧化物。
薄膜的應(yīng)力控制技術(shù)研究現(xiàn)狀

薄膜應(yīng)力普遍存在于薄膜元器件中,從而影響薄膜器件性能,限制了其良好的應(yīng)用前景.所以控制薄膜的應(yīng)力,消除其不良影響,是薄膜生產(chǎn)工藝中不可或缺的技術(shù)手段。
濺射角度對(duì)氧化鉻薄膜性能結(jié)構(gòu)的影響

硬質(zhì)涂層對(duì)工件表面改性已經(jīng)成為現(xiàn)代先進(jìn)制造加工行業(yè)越來越重視的工藝,工件一般為復(fù)雜外形,保證工件表面涂層性能結(jié)構(gòu)的一致性尤為重要。
GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生長

本工作采用化學(xué)氣相淀積方法,以GcH4為反應(yīng)氣源,以InN/CaN/Al2O3(0001)復(fù)合襯底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)復(fù)合襯底上外延生長了Ge薄膜,并對(duì)生長機(jī)理進(jìn)行了探討。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)基礎(chǔ)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
Pt插層對(duì)NiFe/FeMn薄膜交換耦合的影響

采用磁控濺射方法制備了以Pt為緩沖層和保護(hù)層的NiFe/FeMn薄膜.在NiFe/FeMn界面插入Pt,發(fā)現(xiàn)交換偏置場(Hex)隨著插層Pt厚度(tPt)的增加而減小。