摘　要：本工作采用化學氣相淀積方法,以GcH4為反應氣源,以InN/CaN/Al2O3(0001)復合襯底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)復合襯底上外延生長了Ge薄膜,并對生長機理進行了探討.研究結果表明:直接在N2氣氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面較平整,由吸收光譜得出其帶隙寬度為0.78 eV;經過H2預處理,CaN/Al2O3復合襯底表面出現金屬In的沉積,外延Ge薄膜沿(111)方向擇優生長,晶體質量較高.

　　關鍵詞：化學氣相淀積;Ge薄膜;GaN;金屬In

　　分類號：TN304.055　文獻標識碼：A

　　文章編號：1672-7126(2008)增刊-009-04

　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3(0001) Substrates

　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao

　　基金項目：國家重點基礎研究發展規劃(No.2006CB604900);國家高技術研究發展規劃(No.2006AA03A103,2006AA03A142);國家自然科學基金(No.60421003);高等學校博士學科點專項科研基金(No.20050284004)和單片集成電路與模塊國家級重點實驗室2006年度基金(No.9140C1404010605)

　　作者簡介：韓平,聯系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn

　　作者單位：王榮華(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　韓平(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　曹亮(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　梅琴(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　吳軍(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　葛瑞萍(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　謝自力(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　陳鵬(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　陸海(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　顧書林(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　張榮(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

　　鄭有炓(南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,南京,210093)

參考文獻：

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