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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

非平衡磁控濺射的結構和運用

非平衡磁控濺射系統有兩種結構，一種是其芯部磁場強度比外環高，磁力線沒有閉合。另一種是外環磁場強度高于芯部磁場強度，磁力線沒有完全形成閉合回路。
平衡磁控濺射的概念和優缺點

平衡磁控濺射即傳統的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。
碳化釩薄膜的力學性能分析

利用微力學探針表征碳化釩薄膜力學性能，其硬度和彈性模量分別達到35.5GPa 和358GPa。隨著C2H2 分壓的提高,薄膜形成六方結構的γ-VC ,并逐漸產生非晶碳相,硬度和彈性模量隨之降低。
碳化釩薄膜的成分與微結構分析

利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力學探針等表征在Ar、C2H2 混合氣氛中通過反應磁控濺射法制備了一系列不同碳含量的碳化釩薄膜的微結構和力學性能。
反應濺射技術制備碳化釩薄膜的實驗

采用在Ar2C2H2混合氣體中的射頻反應磁控濺射技術可以方便地合成碳化釩薄膜。但是,碳化釩薄膜的化學成分、相組成、微結構以及相應的力學性能對C2H2 分壓非常敏感。
襯底溫度對ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜沉積速率隨襯底溫度的變化不大。
濺射功率對ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜的沉積速率隨濺射功率的增大幾乎成線性增長。
反應氣壓對ZAO薄膜沉積速率的影響

在反應氣壓增大的情況下, ZAO薄膜的沉積速率不斷上升, 達到最大值后, 又隨氣壓的增大不斷下降。
O2氣流量對ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜沉積速率隨O2氣流量的增加顯著降低, 靶面濺射模式由金屬模式轉變為氧化物模式，而且這種轉變趨勢在改變其他參數時依然明顯。
直流反應磁控濺射ZnO:Al薄膜的制備與膜厚的測量

直流反應磁控濺射法制備ZAO薄膜具有低的沉積溫度,高的沉積速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等優點。但是這種工藝的穩定性不易控制。
槽式真空熱管集熱器的火用效率分析與計算模型建立

分析了槽式真空熱管集熱器的熱效率和火用效率，并以此為基礎確定各個因素，主要是槽式集熱器的聚光比、光照強度、集熱流體的溫升對集熱效率和火用效率的影響。
槽式真空熱管集熱器的熱效率分析

隨著集熱器聚光比和太陽光光照強度的增加，槽式真空熱管集熱器集熱效率是急劇增加，然后逐漸趨于平緩；
新型槽式真空熱管集熱器的結構

單軸跟蹤槽式集熱器主要由集熱系統和跟蹤系統組成。集熱系統包括槽式聚光器、真空管、熱管以及其它機械部件等。
ITO薄膜的透射譜的建模及解譜

用直流磁控濺射法在普通載波片上制備了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分別在100、200、300 和400 ℃下退火1h.測量了退火前后幾個樣品的XRD 和透射率,利用橢偏解譜方法對幾個樣品的透射譜進行建模及解譜.
膜基結合力的劃痕法實驗分析

在瑞士CSM儀器的微劃痕測試儀對真空多弧離子鍍設備制備的WC2Co/TiN膜基結合力進行劃痕實驗,系統地介紹了如何利用MST劃痕儀所測的聲發射數據、摩擦力數據及光學、電子掃描劃痕形貌來綜合評定膜基結合力,并用WS292 劃
劃痕法評定膜基結合力的實驗方法

劃痕法是表征膜基結合力最廣泛、也是研究最多的一種方法。劃痕法表征膜基結合力的關鍵是如何判定臨界載荷。
真空觸發開關TVS的導通過程

正極性接線的真空觸發開關TVS 樣品經觸發后能有效地開通，觸發成功率高，延時分散性比較小，燃弧穩定，能夠在小電流過零時產生有效的截流。
真空觸發開關(TVS)的觸發系統概述

針對場擊穿型真空觸發開關TVS觸發比較困難的特點，在觸頭表面涂敷TiH2材料，利用TiH2的脫氫產生大量的初始等離子體，可以有效地降低觸發電壓，提高觸發可靠性。
真空觸發開關(TVS)的基本結構和工作過程

TVS的基本結構主要包括一個絕緣外殼、一個金屬屏蔽罩、一對相距為d的主電極和一個觸發極，管內真空度一般維持高真空。TVS的工作過程通常包括觸發階段和主間隙導通階段。
真空吸盤技術在搬運薄鈦板材中的應用

介紹自行研制的一種用于專用設備上的自動上、下料機械手,論述真空吸盤技術的應用、吸盤材料的選擇、吸力的計算、真空度、真空泵等的選擇,以及自動程序和機械手的自動化搬運過程。