国产精品久久久久久久久动漫,国产电影一区二区三区,国产91对白在线

真空應用

真空技術網>真空應用>

推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

真空觸發開關的起弧穩定性實驗

TVS 的開通過程本質上是電弧燃燒過程。針對TVS 的起弧穩定性,搭建了一套場擊穿型TVS 的觸發和實驗系統,從電氣特性和圖像特性兩個方面記錄其起弧過程.
真空觸發開關(TVS)的觸發和實驗系統

真空觸發開關(TVS)的實驗時從不加續流到高能量的續流連續可調,改變觸發電流,觀察TVS 在不同的脈沖下的開通特性。
超音速電弧噴涂技術

超音速電弧噴涂是最新研制出的制備表面防腐耐磨涂層的新技術,能廣泛用于防腐、修復和機械制造等領域。
負偏壓對磁控濺射氧化鋁薄膜的影響

適當的負偏壓影響磁控濺射Al2O3薄膜的性能，有利于獲得高阻隔性的包裝材料。
真空觸發開關(TVS)的基本結構

真空觸發開關( triggered vacuum switch ,TVS) 的基本結構主要包括一個絕緣外殼(陶瓷或玻璃材料) 、一個金屬屏蔽罩、一對相距為d的主電極和一個觸發極.
ITO薄膜成份的深度分布和相結構XPS分析

用XPS測試經過磁控濺射工藝優化的ITO薄膜的結果表明:該ITO 薄膜的內部Sn 以SnO2 相存在,In 以In2O3 相存在,含量分別在518 %和85 %左右。
ITO薄膜的磁控濺射關鍵工藝參數的優化

通過磁控濺射陶瓷靶制備ITO 薄膜的工藝實驗,研究了基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數對該薄膜光電性能的影響。實驗結果表明:當基底加熱溫度為295 ℃、濺射電壓為250V、氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %即主要工藝
23_8N奧氏體耐熱鋼熱處理工藝研究

對柴油機氣門用2328N奧氏體耐熱鋼按不同工藝進行了固溶和時效處理,檢測了不同熱處理狀態鋼的顯微組織和硬度。結果表明,固溶溫度會影響2328N鋼時效后的硬度,并且隨著時效溫度的提高和時效時間的延長,晶內碳化物不斷增
水溶性淬火介質在現代熱處理中的應用研究

通過實驗分析與生產實際應用，JEF型水溶性淬火介質完全可以代替油，且它的淬火冷卻速度可通過濃度來調整。
低真空變壓熱處理技術的特點和工藝特點

本文講述了低真空變壓熱處理技術的特點以及相關的低真空變壓熱處理爐優良的熱處理工藝介紹。
CuAlO2的結構和能帶特點

從理論上講CuAlO2具有較高的熱電優值，材料具有比較高的Seebeck系數和電導率,同時層狀結構有利于聲子散射,降低熱導率。
管芯封裝與應用對半導體照明光源的影響

對于LED 的封裝，除了熱學處理、光學封裝設計之外，新型高轉換效率熒光粉材料、高熱導率低損耗封裝樹脂材料、穩定有效驅動電源模塊等相關技術值得研究與探討。由于LED 光源與傳統光源在形貌上有很大差別，在外觀上如
芯片制作對半導體照明光源的影響

提高芯片性能，制作低歐姆接觸電極、改善電極拓撲結構，降低器件工作電壓等，能夠有效的提高半導體照明光源器件的光提取效率。
材料外延與評測技術對半導體照明光源的影響

為提高LED器件的流明效率，要改善晶體質量，采用ECR等離子體輔助MOVPE方法進行GaN材料的外延生長。
國內外照明光源的現狀與挑戰

我國大陸的半導體照明在面臨機遇的同時，也存在著嚴峻的挑戰。如何實現半導體照明關鍵技術的大發展，突破國際知識產權封鎖，成功實現半導體照明的自主化，是國內半導體照明相關行業、研究機構所面臨的共同問題。
半導體照明光源的基本原理

半導體發光二極管是半導體照明的核心，其發光原理為在p-n 結正向偏置條件下，通過注入到器件有源區的電子空穴對自發輻射復合，將電能轉化為光能。
氧化鋅(ZnO)薄膜的性能分析

從ZnO薄膜的晶體結構、光學性能、電學性能、光電特性、氣敏特性等方面綜述了ZnO 的研究重點和應用前景。
氧化鋅(ZnO)薄膜的結構分析

ZnO薄膜為寬帶隙半導體，禁帶寬度約3.3eV，晶體結構為六方形纖鋅礦結構。優質的ZnO薄膜具有C軸擇優取向生長的眾多晶粒，每個晶粒都是生長良好的六方形纖鋅礦結構。
脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖。
反應磁控濺射的工作原理和遲滯現象的解決方法

反應磁控濺射技術是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分的化合物薄膜，可以在濺射純金屬或合金靶材時，通入一定的反應氣體，如氧氣、氮氣，反應沉積化合物薄膜，這就稱這反應磁控濺射。