真空應用
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真空吸盤吸持物體的動力學分析
真空吸盤的動態(tài)設計使吸盤的工作更安全可靠。在對吸盤兩個典型工位的受力進行靜態(tài)和動態(tài)分析和比較的基礎上,為真空吸盤的設計應用提供更科學、更安全的設計依據(jù)。
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退火溫度對氧化鎳(NiO)薄膜的影響
隨著退火溫度的升高,薄膜的晶粒尺寸增大,晶粒大小約10~60nm;500℃退火條件下制得的NiO 薄膜組成和結構較好,具有良好的電化學循環(huán)穩(wěn)定性,有望成為高性能的全固態(tài)薄膜鋰電池陽極材料。
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反應濺射AlN 薄膜的動態(tài)特性
反應磁控濺射方法制備AlN薄膜是一種很普遍的方法,為了增強對該過程的理解,建立了反應濺射過程的動態(tài)模型.應用該模型分析了當?shù)髁吭黾踊驕p少時,過程中的各個參數(shù)隨時間變化的瞬態(tài)行為.
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二氧化硅在真空低價法制備鋁過程中的歧化行為研究
引入“物質(zhì)吉布斯自由能函數(shù)法”討論在低價氟化法制備鋁過程中,二氧化硅在不同壓力和溫度下生成低價氧化硅及其分解的熱力學條件并進行了實驗驗證。
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氟化非晶碳膜的微結構分析
利用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)法,在不同的溫度下制備了氟化非晶碳膜.采用原子力顯微鏡(AFM)、X 射線光電子能譜(XPS)和傅里葉紅外吸收光譜(FTIR)等儀器對薄膜微結構進行了表征.
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氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的性能測試分析
研究了輻照試驗前后ITO 樣品的光電性能變化,并用XPS和AFM對其組分及表面形貌變化進行了分析。結果表明,輻照后ITO薄膜的光學透過率變化不大;表面電阻有一定增加,但幅度不大,完全可以滿足防靜電的要求。
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真空管的基本性質(zhì)介紹
真空管共由4種基本構件組成:極對燈絲(Filament) (加熱用)、陰極(Cathode)、柵極(Grid)和陽極(Anode)。當極對燈絲連上電壓對陰極加熱,激發(fā)陰極電子通過柵極打在陽極上。
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