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掃描控制器能量均勻性設(shè)計(jì)與研究

缺陷層的材料吸收對遠(yuǎn)紅外窄帶濾光片的調(diào)制研究

本文基于材料的吸收特性，利用薄膜光學(xué)中的特征矩陣法分析了缺陷層材料的吸收對遠(yuǎn)紅外窄帶濾光片的影響。

MgO激子束縛能)第一性原理GW-BSE研究

本文研究了考慮電子-空穴作用的MgO吸收光譜,分析了激子對外電子發(fā)射的影響, 并解釋了激子對PDP尋址速度的提高的重要性。

次亞磷酸鈉還原制備納米銀粉及其催化性能研究

超長氧化釩納米線的制備與表征

本文以V2O5為原料，以乙二胺為模板劑，結(jié)合溶膠凝膠法和水熱法制備了V2O5納米線，并利用掃描電子顯微鏡(SEM)，傅里葉紅外光譜儀(FT-IR)，拉曼光譜儀和X射線衍射(XRD)儀對樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和組成成分進(jìn)行了表征和分析

銅銦鎵硒薄膜太陽電池的研究進(jìn)展

綜述了國內(nèi)外銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池的研究現(xiàn)狀。

真空管道高速列車氣動噪聲源特性分析

本文采用三維可壓縮模型對真空管道高速列車的氣動噪聲源進(jìn)行數(shù)值計(jì)算, 并研究列車速度、阻塞比和管道壓力對列車氣動噪聲源的影響。

空間太陽陣表面靜電放電特性實(shí)驗(yàn)研究

磁控濺射AlN/Cu納米復(fù)合涂層的性能研究

本文通過雙靶反應(yīng)磁控濺射的方法制備得到了一系列Cu含量不同的A-lCu-N涂層，將Cu含量最高擴(kuò)展到了17.0%。

雙靶磁控濺射共沉積V-C-Co薄膜的結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能

郎穆爾探針低溫低壓等離子體診斷

本文基于OrbitalMotionLimit(OML)離子收集理論確定探針電壓、電流與等離子體狀態(tài)參數(shù)的函數(shù)關(guān)系，應(yīng)用自編Matlab程序?qū)μ结槞z測數(shù)據(jù)進(jìn)行多重濾波處理，得到的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行比較，期望提高探針的檢測精度。

不同等離子體壓強(qiáng)時(shí)擾動磁場的演化規(guī)律

本文旨在應(yīng)用半解析方法，對擾動磁場隨等離子體壓強(qiáng)的演化規(guī)律進(jìn)行數(shù)值模擬，并給出直圓柱位形下，不同等離子體壓強(qiáng)時(shí)，徑向擾動磁場、角向擾動磁場和軸向擾動磁場隨等離子體柱的半徑r的演化規(guī)律。

工作壓強(qiáng)對輝光放電聚合物薄膜化學(xué)結(jié)構(gòu)與表面形貌的影響

本文研究了工作壓強(qiáng)對GDP薄膜表面形貌與化學(xué)結(jié)構(gòu)的影響。利用功率譜密度(PSD)曲線對薄膜表面形貌進(jìn)行全頻譜分析，計(jì)算了與薄膜形貌生長相關(guān)的參數(shù)。

低氣壓射頻空心陰極放電氬等離子體發(fā)射光譜分析

本文以射頻空心陰極放電等離子體為研究對象, 重點(diǎn)研究低于10Pa氣壓的放電工藝參數(shù)對于發(fā)射光譜的影響規(guī)律。

電子回旋共振等離子體輔助原子層沉積金屬鋁薄膜的研究

本文在電子回旋共振等離子體輔助下，以三甲基鋁為鋁源，氫氣為還原劑，通過將它們交替通入反應(yīng)腔內(nèi)，成功制備了金屬鋁薄膜，研究沉積參數(shù)對Al薄膜的性能和結(jié)構(gòu)成分的影響。

基體偏壓對高功率脈沖磁控濺射制備類石墨碳膜的影響研究

采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)于Si基底表面制備了類石墨碳膜, 研究了基體偏壓對薄膜沉積速率、微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能及摩擦學(xué)性能的影響規(guī)律。

襯底溫度對ZnO:Al薄膜熱電性能影響的研究

本文采用AZO陶瓷靶，用直流磁控濺射的方法在不同溫度的玻璃襯底上生長AZO薄膜，通過對所制備薄膜進(jìn)行微結(jié)構(gòu)、熱電性能的檢測和分析，研究襯底溫度對所制備的AZO薄膜熱電特性影響的變化規(guī)律。

摻雜對ZnO溶膠凝膠薄膜光電特性影響的研究進(jìn)展

ZnO作為一種重要半導(dǎo)體材料，在光電領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。本文從第一性原理理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)方面綜述了摻雜對ZnO薄膜光電特性的影響。

移動式真空汽相干燥設(shè)備及其應(yīng)用

巨型變壓器，采用“解體運(yùn)輸，現(xiàn)場組裝”制造技術(shù)，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。在電站現(xiàn)場，汽相干燥處理這些巨型變壓器，效率高，質(zhì)量好，已經(jīng)是很成熟的技術(shù)。移動式汽相干燥設(shè)備設(shè)計(jì)和制造已經(jīng)取得豐富經(jīng)驗(yàn)。

一維碳納米材料的研究進(jìn)展

本文綜述了一維碳納米材料的制備、結(jié)構(gòu)和形貌以及潛在應(yīng)用價(jià)值的研究進(jìn)展，探討了該研究領(lǐng)域需要解決的問題以及今后可能的發(fā)展前景。