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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

InAs(001)吸附表面的不可逆重構(gòu)相變研究

本文利用反射式高能電子衍射儀對(duì)InAs(001)吸附表面進(jìn)行觀測(cè)，發(fā)現(xiàn)表面(3×1)與(2×4)重構(gòu)之間存在不可逆的相變過程。
真空封口機(jī)控制面板的主要作用

本文簡(jiǎn)要介紹真空封口機(jī)控制面板五個(gè)部件的主要作用。
低能C離子注入單晶硅機(jī)械和摩擦學(xué)性能

本文采用低能離子注入的方法，使用MEVVA 源將C離子注入單晶硅表面，考察了低能注入C 離子對(duì)單晶硅機(jī)械性能和摩擦學(xué)性能的影響，并相應(yīng)地探討了低載荷下的磨損機(jī)制。
離焦量對(duì)空氣中YAG激光誘導(dǎo)Cu等離子體空間特性的影響

本文采用1064 nm的YAG 脈沖激光,通過變換激光離焦量，用光譜學(xué)方法研究在空氣中激光誘導(dǎo)銅靶所產(chǎn)生的相應(yīng)空間等離子體的特性，并從光譜學(xué)診斷的角度對(duì)等離子體特性做了進(jìn)一步的研究分析。
真空用R2Co17稀土鈷磁柱表面凈化工藝的改進(jìn)

本文對(duì)R2Co17 磁柱零件的表面凈化工藝加以改進(jìn)，采用電化學(xué)工藝，效果良好。
新型氧化鐵納米材料的研究進(jìn)展

本文綜述了新型氧化鐵納米材料的制備、結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用的研究進(jìn)展，探討了該研究領(lǐng)域亟待解決的問題以及今后可能的發(fā)展前景。
電泳沉積碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極研究進(jìn)展

本文將介紹電泳法的主要技術(shù)工藝與發(fā)展，以及基于電泳技術(shù)的碳納米管薄膜材料在場(chǎng)電子發(fā)射陰極的研發(fā)新進(jìn)展。
真空感應(yīng)爐冶煉易切削鋼的氧含量控制工藝

本文對(duì)真空感應(yīng)爐冶煉易切削鋼的氧含量控制工藝進(jìn)行了研究，通過改進(jìn)操作參數(shù)、保護(hù)氣體種類、調(diào)整合金加入順序、合金化期后保溫時(shí)間的控制等方法，在保證鋼錠內(nèi)部質(zhì)量的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了鋼中氧含量的精確控制，為新型易
真空熱處理爐瞬態(tài)傳熱過程的數(shù)值模擬

本文將建立一個(gè)真空熱處理爐的三維有限元模型，并通過ANSYS 軟件對(duì)其輻射傳熱熱過程進(jìn)行數(shù)值模擬。
基于模糊控制和PID控制的電弧爐直流電源的研究

目前冶金行業(yè)大多采用經(jīng)典的PID調(diào)節(jié)器，本文根據(jù)模糊控制理論，著重針對(duì)電流閉環(huán)提出了一種模糊控制和PID控制相結(jié)合的控制方法。
動(dòng)電容式電位監(jiān)測(cè)器原理和結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)

本文主要研究SPM 類型的探測(cè)器。
XJPD-900磁控濺射設(shè)備的控制軟件編程及工藝試驗(yàn)

本文對(duì)XJPD-900磁控濺射生產(chǎn)線的控制系統(tǒng)進(jìn)行了設(shè)計(jì)，重點(diǎn)對(duì)應(yīng)用PLC和iFix組態(tài)軟件實(shí)現(xiàn)工藝過程自動(dòng)控制以及EXCEL表格數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等的程序做了設(shè)計(jì)分析，完成了整機(jī)的工藝試驗(yàn)。
DC-HCPCVD法高CH4流量下納米金剛石膜的制備及生長(zhǎng)特性研究

本文在CH4/H2氣氛下，在高CH4流量(8sccm~12sccm)下制備納米金剛石膜，研究所得納米金剛石膜的形貌與結(jié)構(gòu)，擴(kuò)展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。
雙靶共濺射TiAl系高溫耐磨薄膜制備與研究

本實(shí)驗(yàn)采用純金屬鋁和鈦?zhàn)鳛殡p靶，通過改變基體相對(duì)于靶材的濺射位置，在同一次濺射過程中，制備了一系列大范圍成份變化的Ti-Al系金屬間化合物薄膜。
金屬/多晶鍺硅肖特基接觸特性的影響因素研究

本文研究了幾種金屬在多晶鍺硅薄膜上的肖特基接觸特性。
Cr層厚度對(duì)Pd/Cr/Co多層膜光學(xué)性質(zhì)的影響

本文對(duì)Pd/Cr/Co多層膜的光學(xué)常數(shù)進(jìn)行了測(cè)量，并研究了Cr插層的厚度對(duì)多層膜光學(xué)性質(zhì)的影響。
熱處理對(duì)CuInS2薄膜導(dǎo)電類型及光學(xué)特性的影響

本研究采用高純Cu、In和S粉混合后，單源共蒸發(fā)沉積CuInS2薄膜，再對(duì)薄膜進(jìn)行合適的熱處理，研究熱處理對(duì)CuInS2薄膜的導(dǎo)電性能轉(zhuǎn)變及光學(xué)性能的影響。
EB-PVD在熱障涂層中的研究及應(yīng)用

本文介紹了EB-PVD技術(shù)在制備熱障涂層時(shí)優(yōu)勢(shì)、不足與改進(jìn)措施。
高功率脈沖磁控濺射制備TiNx涂層研究

本文利用高功率復(fù)合脈沖技術(shù)制備TiNx涂層，電源能量輸出采用直流與脈沖疊加形式，主要研究氮?dú)饬髁繉?duì)膜層性能的影響，并與直流磁控濺射沉積涂層進(jìn)行對(duì)比研究。
真空碳熱還原煅白制取金屬鎂的冷凝實(shí)驗(yàn)研究

改造后的冷凝設(shè)備對(duì)金屬鎂的直收率有很大提升。最后，對(duì)現(xiàn)存的傳統(tǒng)真空冷凝設(shè)備提出了多級(jí)冷凝的改造方案，