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脈沖激光沉積濺射工藝對CIGS薄膜成分和結構的影響
采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預制膜,后經硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線衍射儀表征了薄膜的晶體結構,采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子
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直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究
用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導電薄膜,研究了濺射壓強和功率對GZO:Ti薄膜的微觀結構和光電性能的影響。
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基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響
本文詳細地研究了基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響,隨著基片溫度的增加,濺射沉積速率下降明顯,薄膜的折射率也出現上升趨勢,薄膜也由低溫時的疏松粗糙發展為致密光滑。
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鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結構與腐蝕性能
金屬鈾的化學性質十分活潑,極易發生氧化腐蝕。本文采用磁過濾多弧離子鍍在金屬鈾表面制備Ti過渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
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濺射氣壓對碳化釩薄膜微結構與力學性能的影響
采用碳化釩靶的磁控濺射方法在不同的Ar氣壓下制備了一系列碳化釩薄膜, 利用能量分析光譜儀, X射線衍射,掃描電子顯微鏡, 原子力顯微鏡和微力學探針研究了氣壓對薄膜成分、相組成、微結構以及力學性能的影響。
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高功率脈沖磁控濺射氬氮比對ZrN薄膜結構及性能的影響
采用高功率復合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無空洞、又無大顆粒等缺陷。
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磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設計方法
在現有的理論基礎之上,對濺射鍍膜的綜合設計方法進行了初步的建立和研究,系統的建立可以采用“整體到部分,再到整體”這一動態設計理念,不斷完善設計方法,并將設計方法分為鍍膜設備工程設計、鍍膜工藝設計和計算
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小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究
從圓平面靶磁控濺射的原理出發,針對圓形平面靶面積小于基片面積的特點進行分析,建立膜厚分布的數學模型,并利用計算機進行模擬計算,目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時影響膜厚均勻性的因素
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磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4(CFO)層狀結構磁電復合薄膜,測試結果顯示此磁電復合薄膜在室溫下同時存在鐵電性和鐵磁性
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