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濺射鍍膜

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推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達(dá)不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強(qiáng)度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強(qiáng)度。

PET纖維基AZO透明導(dǎo)電薄膜濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化

室溫下,結(jié)合正交實(shí)驗(yàn)表,用射頻磁控濺射在滌綸(PET)非織造布基材上生長(zhǎng)AZO(Al2O3:ZnO)納米結(jié)構(gòu)薄膜。采用四探針測(cè)量?jī)x測(cè)試AZO薄膜的方塊電阻,用原子力顯微鏡(AFM)分析薄膜微結(jié)構(gòu);通過正交分析法對(duì)實(shí)驗(yàn)L9(33)AZO薄膜的
負(fù)偏壓對(duì)磁控濺射氧化鋁薄膜的影響

適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓影響磁控濺射Al2O3薄膜的性能，有利于獲得高阻隔性的包裝材料。
ITO薄膜的磁控濺射關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

通過磁控濺射陶瓷靶制備ITO 薄膜的工藝實(shí)驗(yàn),研究了基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)對(duì)該薄膜光電性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)基底加熱溫度為295 ℃、濺射電壓為250V、氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %即主要工藝
JB/T 8945-1999 真空濺射鍍膜設(shè)備

JB/T8945—1999真空濺射鍍膜設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)適用于壓力在1×10-4~5×10-3Pa范圍的真空賤射鍍膜設(shè)備，規(guī)定了真空濺射鍍膜設(shè)備的型號(hào)和基本參數(shù)，技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則，標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。
脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖。
反應(yīng)磁控濺射的工作原理和遲滯現(xiàn)象的解決方法

反應(yīng)磁控濺射技術(shù)是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分的化合物薄膜，可以在濺射純金屬或合金靶材時(shí)，通入一定的反應(yīng)氣體，如氧氣、氮?dú)猓磻?yīng)沉積化合物薄膜，這就稱這反應(yīng)磁控濺射。
非平衡磁控濺射的結(jié)構(gòu)和運(yùn)用

非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高，磁力線沒有閉合。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度，磁力線沒有完全形成閉合回路。
平衡磁控濺射的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)。
反應(yīng)濺射技術(shù)制備碳化釩薄膜的實(shí)驗(yàn)

采用在Ar2C2H2混合氣體中的射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)可以方便地合成碳化釩薄膜。但是,碳化釩薄膜的化學(xué)成分、相組成、微結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的力學(xué)性能對(duì)C2H2 分壓非常敏感。
濺射功率對(duì)ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜的沉積速率隨濺射功率的增大幾乎成線性增長(zhǎng)。
直流反應(yīng)磁控濺射ZnO:Al薄膜的制備與膜厚的測(cè)量

直流反應(yīng)磁控濺射法制備ZAO薄膜具有低的沉積溫度,高的沉積速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等優(yōu)點(diǎn)。但是這種工藝的穩(wěn)定性不易控制。
直流濺射并結(jié)合熱處理工藝制備氧化鎳薄膜

采用直流濺射并結(jié)合熱處理工藝在400～500℃退火溫度下制備了表面光滑、結(jié)構(gòu)致密、無(wú)微孔和裂縫的納米晶NiO 薄膜.
反應(yīng)濺射AlN 薄膜的動(dòng)態(tài)特性

反應(yīng)磁控濺射方法制備AlN薄膜是一種很普遍的方法,為了增強(qiáng)對(duì)該過程的理解,建立了反應(yīng)濺射過程的動(dòng)態(tài)模型.應(yīng)用該模型分析了當(dāng)?shù)髁吭黾踊驕p少時(shí),過程中的各個(gè)參數(shù)隨時(shí)間變化的瞬態(tài)行為.
磁控濺射靶磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)優(yōu)化后實(shí)際刻蝕效果與實(shí)驗(yàn)

磁控濺射是現(xiàn)代最重要的鍍膜方法之一, 具有簡(jiǎn)單, 控制工藝參數(shù)精確和成膜質(zhì)量好等特點(diǎn)。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和離化率低等缺點(diǎn)。研究表明磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)上述問題有重要影響, 本文介紹了一種磁控濺射靶磁路優(yōu)
磁控濺射靶的磁場(chǎng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

采用的是磁路疊加原理來(lái)改進(jìn)磁控濺射靶的磁場(chǎng)，最后形成的水平磁場(chǎng)是接近于矩形波的雙峰形式。這樣靶面的磁力線和磁場(chǎng)強(qiáng)度的水平分量更加平滑, 能夠有效地增加靶面跑道的寬度, 實(shí)現(xiàn)靶面均勻刻蝕。
磁控濺射靶的磁場(chǎng)排布分析

在平面磁控濺射靶中, 磁鋼放置于靶材的后面, 穿過靶材表面的磁力線在靶材表面形成磁場(chǎng)。其中平行于靶面的磁場(chǎng)B 和垂直靶表面的電場(chǎng)E,形成平行于靶面的漂移場(chǎng)E×B。
濺射鋁膜的結(jié)構(gòu)與表面形態(tài)分析

X射線衍射圖譜表明, 磁控濺射沉積的Al膜為多晶狀態(tài)。用掃描電子顯微鏡對(duì)薄膜進(jìn)行表面形貌的觀察, 濺射氣壓為0.4Pa, 濺射功率為2600W時(shí)制備的Al膜較均勻致密。
直流磁控濺射的工藝參數(shù)對(duì)鋁膜沉積速率的影響

Al膜的沉積速率隨著濺射功率的增大先幾乎呈線性增大而后緩慢增大; 隨著濺射氣壓的增大, 沉積速率不斷增大, 在0.4 Pa 時(shí)達(dá)到最大值后, 沉積速率隨濺射氣壓的繼續(xù)增大而減小。
直流磁控濺射法在玻璃基片上制備鋁薄膜的工藝研究

采用直流磁控濺射方法, 以高純Al為靶材, 高純Ar為濺射氣體, 在玻璃襯底上成功地制備了鋁薄膜。
磁控濺射法鍍制紅外低輻射膜的光熱性能

本文對(duì)薄膜的節(jié)能原理、制備方法、膜層結(jié)構(gòu)及其光學(xué)、熱學(xué)性能進(jìn)行了綜述, 較詳細(xì)地論述了目前低輻射薄膜研究中較為突出的金屬銀氧化和介質(zhì)層增透的問題。