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超納米金剛石薄膜的性能和制備及應用
文章對超納米金剛石與其他CVD 金剛石的性質進行了對比，對超納米金剛石的生長機理進行了簡要概述，著重分析了各種化學氣相沉積技術制備超納米金剛石的基本原理、特點及取得的研究成果，最后詳細討論了超納米金剛石的
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電子束物理氣相沉積熱障涂層抗沖蝕性能研究
通過AIP和EB-PVD技術制備的熱障涂層，在其抗沖蝕性能評價方面仍然沒有詳細的報道。為此，本研究利用AIP法制備HY3涂層，利用EB-PVD制備YSZ陶瓷面層，對其組分、相結構和抗沖蝕性能進行系統研究，并對評價設備作介紹。
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直流熱陰極PCVD法間歇生長模式制備透明金剛石膜
采用直流熱陰極PCVD技術，進行了甲烷和氫氣條件下加入氮氣制備透明金剛石膜的研究，主要是通過設置刻蝕步驟，改變溫度和時間參數，在間歇生長模式下使氫和氮原子共同作用，實現對非金剛石成份的刻蝕和金剛石的擇優取
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放電功率對VHF- PECVD沉積微晶硅薄膜的生長特性的仿真模擬
本文采用Comsol中的等離子體模塊和Chemkinpro中的AUROR模塊相結合的方法，研究了甚文頻PEVCD沉積μc-Si:H薄膜過程中放電功率對等離子體特性、氣相反應和表面生長的影響，并與實驗進行了比較。
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HMX顆粒的氣相沉積包覆研究
本文通過真空氣相沉積技術，在HMX炸藥顆粒表面成功包覆了石蠟和paralene膜，并且在膜較薄情況下實現了包覆度100%。測試了HMX氣相包覆顆粒的機械感度和靜電火花感度。
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氣相沉積硅薄膜微結構及懸掛鍵缺陷研究
在單晶Si(100)基體上利用電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法制備硅薄膜, 并采用X射線衍射譜(XRD)、透射電鏡(TEM)、Raman光譜、電子自旋共振(ESR)波譜等實驗方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微結構及懸掛鍵密度的變
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物理氣相沉積(PVD)技術
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特
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