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高量子效率和波長熱穩定性308nm GaN/AlN量子點紫外LED的制備
本文通過金屬有機物氣相外延方法,在(0001)面藍寶石襯底上成功地生長了以GaN/AlN 量子點代替AlGaN量子阱作為有源區的紫外LED 外延片,并首次制備了電致發光波長為308 nm 的GaN/AlN 量子點紫外LED 器件。
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基于α-Si TFT 的AM-FED 器件的研究與仿真分析
研發人員設計了三極結構的FED 顯示器件,在陰陽極板之間加入了柵極來收集電子。但是三極結構并不能徹底解決驅動電壓高,以及顯示均勻性差的問題。
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陽極氧化電壓對TiO2納米管陣列生長及場發射性能的影響
利用陽極氧化法在純鈦表面制備了規則有序的TiO2 納米管陣列, 應用場致發射掃描電子顯微鏡、X 射線光電子能譜對納米管陣列表面形貌、斷面結構及元素組成進行表征, 并對所得樣片的場發射性能進行測試.
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利用頻域求解器模擬計算諧振腔的諧振特性
以“通過法測品質因數”的冷測實驗為理論基礎, 通過理論分析、數值模擬和冷測實驗證明了利用三維電磁仿真軟件的頻域求解器也能模擬獲得涂覆衰減材料的諧振腔本征模的諧振特性。
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