高量子效率和波長熱穩定性308nm GaN/AlN量子點紫外LED的制備

2013-04-29 楊偉煌 福建省半導體材料及應用重點實驗室廈門大學物理系

　　近年來，由于紫外光在環境保護、殺菌消毒、凈化水源、白光照明和非直線近距離通訊等領域有著極大的用途，AlGaN 基紫外光發光二極管(LED)研發成為了人們關注的熱點。

　　隨著Al 組分的升高，高質量和高電導AlGaN 材料的生長越加困難，AlGaN 基紫外LED 的效率急劇下降。如何制備較高量子效率和功率的紫外LED，成了當前急需解決的問題。

　　本文通過金屬有機物氣相外延方法，在(0001)面藍寶石襯底上成功地生長了以GaN/AlN 量子點代替AlGaN量子阱作為有源區的紫外LED 外延片，并首次制備了電致發光波長為308 nm 的GaN/AlN 量子點紫外LED 器件。變溫光致發光及瞬態發光光譜測試表明，該器件具有較高的量子效率。變電流電致發光光譜及芯片溫度測試表明，該器件具有良好的發光波長熱穩定性。