行波管高頻結構及衰減的模擬

2009-11-18 占存輝 核工業西南物理研究院

  耦合腔行波管是一類重要的微波器件,具有功率大、增益高、帶寬寬等優點,在雷達、通信、遙測等領域有廣泛的應用。但耦合腔行波管結構特別精細,加工工藝相當困難,而且工作頻率相當高,給微波測試帶來了一系列高難要求,費用也很高。因此,在耦合腔行波管設計開發過程中,為了降低研究成本,我們要借助軟件對其進行仿真。

1、高頻結構參量及衰減的優化模擬

  高頻結構設計的好壞直接關系到行波管能量交換效率、工作頻率范圍、帶寬以及工作模式等。因此高頻結構的分析計算是行波管設計必須和關鍵的工作。加工的實驗管采用技術上比較成熟的常規休斯型耦合腔鏈高頻結構,見圖1。通過實驗冷測,我們發現前加工的休斯型耦合腔行波管通頻帶性能較差,駐波比比較大,而且波動比較厲害。這說明管子的內部反射很大,輸能裝置不匹配。而產生自激振蕩的一個重要原因就是管子的內部反射,為了防止自激振蕩,我們設置了集中衰減器。

休斯腔慢波結構

圖1 休斯腔慢波結構

  為了改善管子的性能,減小通頻帶的帶內波動,降低管子的駐波比,我們從冷測和CST 軟件模擬出發,做了下面一些優化工作。

  首先,優化耦合腔間隙G。行波管工作于腔通帶,基波是返波,電子束和前向諧波發生互作用并交換能量,這時行波管工作于慢波線通頻帶的中心頻率時線上每周期相移為βl=3π/2 。考慮相對論效應并求出電子槍加速電壓20 kV 對應的電子速度Ve,即可確定與之同步并進行能量交換的高頻信號的相速Vp,由Vp=2πfl/φ可確定相移φ=3π/2,中心頻率為2.5G時休斯腔單腔長度l 的尺寸。而腔間隙電子渡越角一般在π/2-π,對應G 的應為l/3-2l/3。軟件模擬發現G=0.41l 時通帶性能較好, 滿足此范圍。

高頻結構參量模型

圖2 高頻結構參量模型

  再次,優化耦合槽的大小和角度,其它保持不變。

  耦合系數k 定義為被耦合槽截獲的電流與耦合腔中傳導的電流的比值。經簡化,耦合系數為耦合槽的面積與形成槽環的面積比,即:

k=α/2π +rs2/Rs2

  槽的有效長度為:ls = 2π + Rsk耦合槽也可近似看作兩端短路的TEM 波平板傳輸線,諧振時槽的長度ls 恰為槽孔諧振波長的一半,此時ωs = πc/ls行波管工作于腔通帶,槽通道在腔通帶上,此時要求ωs 較高,從而要求ls 較小,這樣就限制了耦合槽的尺寸,也限制了耦合系數k 不能太大。通過軟件CST模擬優化耦合槽張角α ,rs和Rs,通過模擬發現,張角增大,槽孔變大,通頻帶變寬, 而且當α 在90°附近時通帶性能較好。

  最后,優化吸收衰減,改變吸收衰減的形狀,厚度,位置。通過本征模擬,發現電場主要分布在靠近加載頭兩側的區域。當加載頭為外圓錐和內圓錐狀時,電場向腔壁和中心軸線方向迅速減弱,加載頭為圓筒狀時,電場主要分布在圓筒橫截面圓環區域,此區域電場變化不大,電場最強點分布在截面圓環內環處。電場向腔壁迅速減弱, 向中心軸線方向慢慢減弱,中心減弱到電場最強點的75%。將柱形衰減放在電場分布強的區域(如圖2)有利于信號的吸收衰減,反射小的多,駐波比明顯變好,模擬結果如圖3。