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ZnO一維納米材料在Cu-Zn合金基片上的大面積直接生長及場發射性能研究
以Cu-Zn合金片為基底并提供Zn源,在較低的溫度下進行氧化處理,直接在Cu-Zn合金片上大面積地生長出不同形貌的ZnO 一維納米材料,包括納米線、納米帶、納米棒及納米帶準定向陣列等。
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金屬Ni基片上碳納米管的合成及場發射性能研究
碳納米管(CNTs)有高的機械強度、奇特的電學性能、優良的儲氫能力等一系列的物理化學性質,在復合材料、納米電子學器件、微型傳感器、電動機械裝置等方面具有廣闊的應用前景。
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第一性原理研究PDP放電單元MgO保護層各種空缺對二次電子發射系數的影響
利用第一原理的方法來計算了完整MgO以及含F、F+ 、F 2+ 空缺的MgO 晶體的電子結構的變化情況,通過對能帶結構和態密度分布的計算,可以看到MgO 形成氧空缺后在禁帶中引入了能級。
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X波段三間隙耦合腔型輸出回路間隙阻抗的模擬計算
通過Ansoft HFSS軟件模擬的手段,在X 波段設計了一個三模重疊的三間隙耦合輸出腔,討論了群時延和間隙阻抗之間的相互關系,分析了群時延對間隙阻抗頻率特性的影響
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等離子冷床爐熔煉高密度夾雜物去除研究
冷床爐是一個開放的系統,由于將熔化、精煉、凝固過程分離,不但可以實現各個過程的獨立、精確控制,而且去除高密度夾雜物效果明顯,在許多方面具有VAR 所無法比擬的優勢。
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模擬研究常閉和常開工作模式下的平面柵極型碳納米管場發射電子源
通過對常閉和常開工作模式下平面柵極型碳納米管場發射電子源中陰極電極斑條表面電場分布的計算,證實了兩種工作模式下該電子源都具有良好的柵控能力。
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