真空基礎(chǔ)
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不同真空處理時(shí)間對(duì)辣根過(guò)氧化物酶二級(jí)結(jié)構(gòu)的影響
辣根過(guò)氧化物酶經(jīng)真空處理不同時(shí)間,利用圓二色光譜研究不同真空處理時(shí)間對(duì)辣根過(guò)氧化物酶二級(jí)結(jié)構(gòu)的影響。
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新型真空滅弧室1/2線圈縱磁結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真
設(shè)計(jì)一種新型1/2匝真空滅弧室線圈式縱向磁場(chǎng)觸頭結(jié)構(gòu),并對(duì)其縱向磁場(chǎng)分布特性進(jìn)行分析
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ANSYS軟件在高頻電磁場(chǎng)上的應(yīng)用
介紹了ANSYS軟件在高頻電磁場(chǎng)仿真方面上的應(yīng)用,分析了ANSYS軟件在進(jìn)行三維高頻電磁場(chǎng)仿真所涉及的有限元分析和電磁場(chǎng)方面的基礎(chǔ)理論。
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感應(yīng)加熱中頻電源原理及檢修
該文章闡述了感應(yīng)加熱中頻電源主要組成部分及電路工作原理,詳細(xì)介紹了在感應(yīng)加熱中頻電源應(yīng)用中常見(jiàn)的故障分析和處理方法。
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真空絕熱板中的熱橋效應(yīng)及其優(yōu)化措施
真空絕熱板的芯材具有很低的熱導(dǎo)率, 但是用于維持真空度的高阻隔表面隔膜造成的熱橋會(huì)使真空絕熱板整體熱導(dǎo)率明顯提高。
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真空科學(xué)與技術(shù)的一些前沿課題
試論述真空科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的最近、最新的學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài),分析研究?jī)?nèi)容、研究方向和前沿課題,希望能達(dá)到為生產(chǎn)、教學(xué)和科研導(dǎo)向起到參考作用。
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陰極弧離子源磁過(guò)濾器的磁場(chǎng)設(shè)計(jì)與數(shù)值模擬
利用永磁體優(yōu)化磁過(guò)濾器的磁場(chǎng)位形,并且增大磁過(guò)濾器出口面積等方法,對(duì)彎管磁過(guò)濾器進(jìn)行結(jié)構(gòu)和磁場(chǎng)優(yōu)化設(shè)計(jì)
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5 kW 弧電源的設(shè)計(jì)與仿真
介紹了開關(guān)電源的優(yōu)點(diǎn)和大功率弧電源的結(jié)構(gòu),給出了 以SG3525 為控制核心的弧電源的設(shè)計(jì)方法。
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準(zhǔn)中性等離子體模擬中的兩種漸近保持PIC算法研究
針對(duì)準(zhǔn)中性無(wú)碰撞等離子體的Vlasov 方程及與其相耦合的求解電勢(shì)的Poisson 方程所組成的Vlasov2Poisson 系統(tǒng),提出了兩種漸近保持PIC 算法,并將其運(yùn)用到一維周期性波動(dòng)等離子體模型上。
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前柵極碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示板關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)的研究
采用模擬計(jì)算的方法研究了前柵極碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示板的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)場(chǎng)發(fā)射區(qū)域內(nèi)的電場(chǎng)分布、陰極表面的發(fā)射情況、電子軌跡和著屏束斑。
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利用UV曝光技術(shù)研制單根定向碳納米管陣列冷陰極
通過(guò)普通的紫外(UV) 光刻工藝,結(jié)合“變傾角縮口”新技術(shù),研制了不同發(fā)射單元尺寸的碳納米管(CNTs) 陣列陰極。
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國(guó)際熱核聚變反應(yīng)堆饋線系統(tǒng)線圈終端盒冷屏熱性能分析及實(shí)驗(yàn)研究
本文首先根據(jù)傳熱學(xué)原理對(duì)線圈終端盒冷屏熱性能進(jìn)行理論分析,確定了冷屏的結(jié)構(gòu)型式,然后再對(duì)線圈終端盒冷屏結(jié)構(gòu)建模
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數(shù)字式壓力校驗(yàn)儀及其應(yīng)用
介紹了數(shù)字式壓力校驗(yàn)儀的應(yīng)用,包括壓力校驗(yàn)儀的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)情況、 在現(xiàn)場(chǎng)儀表調(diào)校過(guò)程中的具體使用方法以及使用過(guò)程中的注憊事項(xiàng)。
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