薄膜太陽能電池作為一種太陽能電池的改進(jìn)，降低了太陽能吸收層的厚度，從而降低了生產(chǎn)的材料成本，但這種優(yōu)勢(shì)被較低的光吸收效率所抵償，所以必須采取一定的陷光措施，其中金屬納米顆粒作為一種陷光結(jié)構(gòu)被廣泛應(yīng)用于薄膜太陽能電池的光吸收增強(qiáng)中。

　　目前制備薄膜電池表面的金屬納米顆粒的方法主要有，掩膜法，電子束刻蝕，納米壓印技術(shù)和熱蒸發(fā)退火法，前三種方法制備出的金屬納米顆粒陣列的大小和分布相對(duì)均勻但制備步驟復(fù)雜而且費(fèi)用較貴，不適宜大規(guī)模生產(chǎn);熱蒸發(fā)退火法是利用熱蒸發(fā)法在潔凈基底上鍍上一層幾十納米厚度的金屬膜，然后再保護(hù)氣體(如氮?dú)?的環(huán)境下退火一段時(shí)間，由于基底材料和金屬膜材料之間的受熱之后的應(yīng)變力不同，表面張力使得金屬薄膜裂解成納米顆粒，所以制備的陣列的顆粒大小分布相對(duì)較差，但成本較低，制備簡(jiǎn)單，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

　　針對(duì)目前對(duì)熱蒸發(fā)退火生長(zhǎng)參數(shù)方面沒有系統(tǒng)方面的研究，本文利用熱蒸發(fā)退火的方法制備Ag 納米顆粒，通過掃描電子顯微鏡，觀察在潔凈硅片表面熱蒸發(fā)制備出的薄膜厚度和退火得到的納米顆粒陣列的分布情況，來系統(tǒng)研究退火時(shí)間和退火溫度對(duì)納米陣列的大小分布的影響，從而優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)，以制備出大小可控，分布均勻的Ag 納米陣列。從而可以以較低生產(chǎn)成本制備出性能優(yōu)良的金屬納米陣列用于太陽能表面的光吸收增強(qiáng)。