磁控濺射薄膜生長全過程的計算機(jī)模擬研究
本文通過建立多尺度模型,結(jié)合模擬了磁控濺射中濺射原子的產(chǎn)生、濺射原子的碰撞傳輸、以及最終成膜的全過程,研究了基板溫度、濺射速率、磁場分布和靶材-基板間距對薄膜生長過程與薄膜性能的影響。模擬結(jié)果顯示,提高基板溫度或降低濺射速率都會增加初期生長階段薄膜的相對密度;磁場對靶的利用率有顯著的影響,而對薄膜最終形貌的影響不大;增大靶材-基板間距會降低薄膜的粗糙度。
磁控濺射自20 世紀(jì)70 年代誕生以來,因較高的沉積率和成膜質(zhì)量而成為薄膜制備的重要手段之一,被廣泛應(yīng)用于集成電路制造、特殊功能材料涂層以及材料改性等諸多領(lǐng)域。由于當(dāng)前濺射成膜工藝的控制在很大程度上仍然依賴于實驗經(jīng)驗,因此,模擬研究磁控濺射生長過程,對輔助濺射成膜工藝的實際操作有著重要的意義。
隨著計算機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展,計算物理方法與傳統(tǒng)的理論研究和實驗研究的結(jié)合日趨緊密。許多國內(nèi)外研究成功運用計算機(jī)模擬方法探討薄膜的生長機(jī)理,并提出多種模擬手段來重現(xiàn)與薄膜生長相關(guān)的物理過程,例如Smereka 等對晶面生長速度的研究;Volter 運用10原子環(huán)形模型對薄膜生長過程的模擬 ; Daw 和Baskes等提出了嵌入原子方法(EAM-embedded atom method) 用以計算勢函數(shù),并將其應(yīng)用于對面心立方晶體微觀性能的描述。然而,磁控濺射中各部分物理過程在空間和時間尺度上跨度較大,這樣多尺度問題的計算機(jī)模擬并不容易,因此對磁控濺射沉積薄膜全過程模擬的研究報道并不多見。在現(xiàn)有的個別全過程模擬方法中,通常對成膜過程進(jìn)行一定的簡化,例如不涉及遷移和脫附等物理過程,這對模擬的精確性會產(chǎn)生一定的影響。
本文建立了一個多尺度模型,對磁控濺射薄膜生長的全過程進(jìn)行了計算機(jī)模擬,研究了基板溫度、磁場分布及靶材- 基板間距對成膜的影響。首先應(yīng)用PIC ( Particle-In-Cell)對濺射原子的產(chǎn)生進(jìn)行模擬 ,并得到靶的刻蝕曲線;其次應(yīng)用蒙特卡羅(MC Monte Carlo) 方法模擬原子在空間的碰撞傳輸過程;跟蹤原子到達(dá)基板后,利用蒙特卡羅方法對薄膜微觀生長過程進(jìn)行三維模擬;最后采用帶電云方法(CIC Clouds In Cells) 得到薄膜宏觀形貌圖。結(jié)果顯示,初期生長階段,薄膜的密度隨著基板溫度的增加而增加,隨著濺射速率的增加而減小;薄膜宏觀形貌與靶的刻蝕曲線密切相關(guān)———薄膜最大厚度出現(xiàn)的位置與靶的刻蝕最深處相對應(yīng);隨著基板溫度的增加薄膜的厚度逐漸減小,而隨著靶材- 基板間距的增大,薄膜的厚度和粗糙度均會減小。
1、模型與方法
磁控濺射成膜過程由以下三個過程組成:
(1)濺射原子的產(chǎn)生———通過控制靶材上加載的電壓激發(fā)輝光放電,利用產(chǎn)生的離子對靶進(jìn)行轟擊,得到濺射原子;
(2)濺射原子的傳輸———濺射原子在向基板運動的過程中,會不斷地與背景氣體發(fā)生碰撞,最終到達(dá)邊界或基板;
(3)原子在基板上的沉積———原子到達(dá)基板后,在基板表面發(fā)生吸附、遷移、脫附等物理過程,最后沉積在基板表面,形成薄膜。
本文中模擬的放電真空腔為圓柱形,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1 所示。圓形的薄膜沉積基板(Substrate) 位于真空腔的頂部;同樣為圓形的濺射靶(Target ) 位于真空腔的下方;圓柱形中心磁極(S) 及圓環(huán)型外圍磁極(N) 則位于真空腔的底部,濺射靶的正下方。如圖所示,真空腔內(nèi)徑R 為42mm,薄膜沉積基板半徑為40mm,濺射靶半徑為26mm,中心磁極半徑為6mm,外圍磁極截面寬度為5mm,兩磁極間距15mm,靶材與基板的間距為Z 。基板接地作為陽極,靶為陰極加直流負(fù)偏壓( - 450V) ,二次電子發(fā)射系數(shù)為0.3 ,背景氣體為氬氣,初始等離子體密度n = 1 ×1013m- 3 。徑向邊界(0 ≤z ≤Z , r = R) 處為金屬,邊界上僅具有法向電場,其初始值為零,電場強(qiáng)度隨粒子流產(chǎn)生的壁電荷的累積而變化。模擬中采用的空間分辨率Δr=1mm、Δz=2mm ,時間步長Δt = 1 ×10-10s。
圖1 磁控濺射結(jié)構(gòu)示意圖
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3、結(jié)論
本文結(jié)合了PIC ,MC , EAM,CIC 等方法對整個等離子體磁控濺射成膜過程進(jìn)行了多尺度的計算機(jī)模擬,并系統(tǒng)研究了磁控濺射成膜過程中基板溫度、磁場分布、靶材-基板間距等參數(shù)對成膜的影響。研究結(jié)果表明,
(1) 隨著基板溫度的提高,薄膜初期生長階段所形成的島的尺寸增大而島的數(shù)量減少,相對密度提高。但提高溫度的同時,也會使沉積原子的脫附率升高。因此實際中需要根據(jù)材料性質(zhì)、質(zhì)量和成本來選取最合適的基板溫度。
(2) 磁場分布對靶的刻蝕曲線有較大的影響,而對薄膜最終形貌影響甚微。研究表明,flat 型磁場可以在不影響薄膜成膜的前提下最大程度地提高靶材的利用率。
(3) 隨著靶材-基板間距的增大,薄膜的成膜速率以及薄膜的粗糙度均會減小。
本文工作是關(guān)于磁控濺射成膜過程的初步研究,尚有一些問題,諸如襯底材料及表面狀態(tài)(晶向、平整度) 等對薄膜初期生長過程的影響,都有待更完善的物理模型進(jìn)一步深入研究。