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CVD法制備單根磷摻雜P型ZnO納米線

通過CVD 方法制備得到了磷摻雜的 ZnO 納米線，用掃描電子顯微鏡（SEM）、X 射線衍射（XRD）、光致發光譜（PL）、拉曼（Raman）等多種表征手段對制備得到的樣品進行了表征。

用基于真空噴霧法制備的梯度結構來提高聚合物發光器件的光強

制備的具有梯度結構的聚合物發光器件發出光的強度，比用旋涂法和真空噴霧法所制備的單純高分子發光器件和混合結構的高分子發光器件更高

應用于CIGS太陽能電池窗口層的透明導電氧化物AZO薄膜的制備與研究

采用射頻磁控濺射技術，在常溫條件下，制備出了性能優良的透明導電AZO薄膜薄膜。

單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備及其光學性能

用一種簡單的氣相合成方法成功地制備出了大量高純單晶氮化硅（α-Si3N4）納米線，氮化硅納米線的發光有一個寬的發光帶 （波長從500~700 nm），發光峰位于567 nm。

單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備

采用一種簡單的熱蒸法制備單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線。

卷繞式鍍膜機張力控制的改進及Matlab仿真

卷繞式鍍膜機張力控制的改進及Matlab仿真

導電薄膜電阻測量技術的可靠性研究

針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現的問題，進行分析研究，提出了解決方案，并在實驗中得到實現。

一種新型基于TiO2半導體薄膜的電致變色陣列器件

基于TiO2半導體薄膜的電致變色器件具有很高的穩定性，在未來顯示領域“電子紙”的商業化進程中具有很大的競爭潛力

基于露點法判斷凍干過程的一次升華結束點

根據凍干過程干燥室內的露點值和物料的水分含量有關提出一種新的方法———露點法來監控凍干過程物料的水分遷移情況

DBD-PECVD法制備CN薄膜的結構及性能研究

采用介質阻擋放電等離子體增強化學氣相沉積(DBD-PECVD) 法,分別以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合氣體作為反應氣體,在單晶硅片上成功制備了CN薄膜。

兩種硫酸根含量測定方法的比較

們對兩種硫酸根含量的測定方法--分光光度法和容量滴定法進行了比較

粗粒度鹽的生產小結

淺談我公司對洗浴鹽發展的探索

洗浴鹽作為一個綠色健康產業，發展前景不可限量。

磁控濺射制備(Ti,Al,Cr)N硬質薄膜及其力學性能的研究

采用超高真空反應磁控共濺射在不銹鋼基體上成功制備TiAlCrN薄膜。通過改變Cr靶濺射功率得到不同表面形貌、不同力學性能的TiAlCrN薄膜。

方塊電阻測試儀的智能化方案

對方塊電阻測試儀儀器功能進行智能化，有利于提高方塊電阻測試儀的可靠性，減少人為因素對測量結果的影響，增強儀器對測量數據的管理能力。

納米ZnO/CdSe@ZnS量子點自組裝熒光薄膜的制備

采用GDARE技術制備了ZnO納米顆粒膜，XRD分析表明晶粒生長主要沿著（002）晶面，薄膜呈現為有一定擇優取向生長的多晶結構，AFM圖像觀察到其平均粒徑為50–80nm。

磁控濺射帶電粒子的運動分布以及靶面刻蝕形貌的研究

利用有限元軟件ANSYS和數值分析軟件MATLAB仿真了磁控濺射中電磁場的分布，結合受力分析和運動理論得到了粒子在空間區域內的運動以及它們在靶面附近的位置分布特點。

Cr/CrN多層膜的結構及腐蝕性能研究

利用電弧離子鍍設備，在45#鋼基體上制備了兩種調制比的Cr/CrN多層膜。采用X 射線衍射技術(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電子探針(EPMA)、M273A電化學系統等技術分析了薄膜的相結構、表面形貌、橫截面元素分布、模擬海

真空鍍鋁膜耐曲揉性(揉搓性)檢測

被視為鋁箔代替品的真空鍍鋁材料，在耐折性、韌性上已有很大的改進，但要想確保其在經過曲揉后的綜合性能進而確保產品的包裝安全，對其進行耐曲揉性檢測是不可或缺的重要手段。

Cu/In原子比及硫化溫度對于CuInS2薄膜性能影響

采用中頻交流磁控濺射方法，在玻璃基底上沉積Cu-In預制膜，采用固態硫化法制備獲得了CuInS2(CIS)吸收層薄膜。考察了預制膜Cu/In原子比及硫化溫度對于CIS薄膜結構及禁帶寬度影響。