真空應用
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摻磷納米硅薄膜的制備及介觀力學性質(zhì)與介觀接觸電阻的研究
通過嚴格控制薄膜生長的工藝參數(shù),得到了摻磷納米硅薄膜,并通過原位納米力學電學測試系統(tǒng)對其力學和電學性質(zhì)進行測試
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遠洋蔬果復合氣調(diào)包裝系統(tǒng)(MAP)數(shù)學模型研究
根據(jù)Fick定律和Henry定律以及蔬果復合氣調(diào)包裝后氣體質(zhì)量平衡原理建立數(shù)學模型,從而確保遠洋蔬果復合氣調(diào)保鮮包裝的科學性,達到延長遠洋蔬果保鮮期的目的。
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襯底H等離子體預處理時間對微晶硅薄膜生長的影響
采用VHF-PECVD技術(shù)制備了系列硅薄膜,通過橢圓偏振技術(shù)及拉曼測試手段研究了襯底表面預處理時間對微晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)及其生長的影響。
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真空管道運輸:處在科技前沿的下一代運輸方式
回顧了真空管道運輸從概念設(shè)想到專利技術(shù)形成的發(fā)展過程,對當前世界范圍內(nèi)真空管道運輸?shù)难芯块_發(fā)現(xiàn)狀進行了考察。
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真空管道運輸——真空產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新機遇
真空管道運輸系統(tǒng)的建設(shè)與應用, 將給真空產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造巨大的市場空間, 是真空產(chǎn)業(yè)、真空科學與技術(shù)發(fā)展的新機遇。
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氫化微晶硅薄膜的兩因素優(yōu)化及高速沉積
采用甚高頻等離子體輔助化學氣相沉積技術(shù)(VHF-PECVD) 分別對薄膜沉積參數(shù)進行了功率密度—沉積氣壓和硅烷濃度—氣體總流量兩因素優(yōu)化
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非平衡磁控濺射制備氮化硅薄膜及其性能研究
采用非平衡磁控濺射技術(shù),通過改變氮氣和氬氣分壓比P(N2)/P(Ar),在鈦合金(Ti6Al4V)表面制備出不同結(jié)構(gòu)及性能的氮化硅薄膜。
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沉積在液體基底上銀薄膜的表面形貌及內(nèi)應力釋放機制
利用直流磁控濺射方法在液體(硅油) 基底表面成功制備出具有自由支撐邊界條件的金屬銀薄膜系統(tǒng),研究了該薄膜的形成機理、表面形貌演化規(guī)律及內(nèi)應力釋放機制。
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真空爐生產(chǎn)超低碳鋼的實踐操作
通過分析真空爐生產(chǎn)超低碳鋼的工藝過程,結(jié)合生產(chǎn)實踐,優(yōu)化脫碳工藝,總結(jié)出快速計算鋁加入量的經(jīng)驗公式,大大縮短了真空處理時間,確保了鋼水的純凈度。
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