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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

一種窄帶導(dǎo)模共振負(fù)濾光片的設(shè)計(jì)

由于弱調(diào)制光柵可以等效為平面波導(dǎo), 本文從平面波導(dǎo)的本征方程出發(fā), 導(dǎo)出垂直入射時(shí)弱調(diào)制光柵共振位置的表達(dá)式。
新型雙通道日夜濾光片的設(shè)計(jì)與鍍制

紅外相機(jī)和監(jiān)控系統(tǒng)在日夜成像時(shí)使用日夜濾光片代替紅外截止濾光片, 以保證白天成像無(wú)色差, 同時(shí)晚上能成黑白像。
同軸腔高功率多注速調(diào)管注-波互作用系統(tǒng)的模擬設(shè)計(jì)

以同軸腔高功率多注速調(diào)管為研究對(duì)象, 以大信號(hào)程序KLY及PIC粒子模擬軟件對(duì)其多電子注- 波互作用系統(tǒng)開(kāi)展了一維初始設(shè)計(jì)、二維等效設(shè)計(jì)及全三維模擬設(shè)計(jì)。
輝光弧光協(xié)同共放電方式制備TiN薄膜的研究

分別采用中頻磁控濺射、電弧離子鍍及輝光弧光協(xié)同共放電混合鍍?nèi)N方式在碳鋼基體上制備TiN薄膜, 采用各種技術(shù)對(duì)薄膜表面形貌、顯微硬度、膜厚、耐腐蝕性進(jìn)行測(cè)試。
非軸對(duì)稱(chēng)磁場(chǎng)對(duì)多級(jí)降壓收集極性能的影響

非軸對(duì)稱(chēng)磁場(chǎng)對(duì)多級(jí)降壓收集極性能的影響，收集極性能的改善也為行波管效率的提高提供了保證。
低能斜入射離子束誘導(dǎo)單晶硅納米結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究

為了研究低能Ar+離子束在不同入射角度下對(duì)單晶硅表面的刻蝕效果及光學(xué)性能, 使用微波回旋共振離子源, 對(duì)單晶Si(100)表面的各種性能進(jìn)行了測(cè)量。
Nb1-xWxSe2的制備及其摩擦學(xué)性能研究

通過(guò)W摻雜固相合成Nb1- xWxSe2, 采用X射線(xiàn)衍射、掃描電鏡、透射電子顯微鏡分析了樣品中的相成分、微觀(guān)形貌和元素成分。
W波段平面線(xiàn)形排列多注分布作用管諧振腔的研究

通過(guò)三維仿真軟件CST-MSW建立了平面線(xiàn)形排列的多注分布作用速調(diào)管五間隙諧振腔的物理模型, 獲得了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)腔體的場(chǎng)形、特性阻抗等相關(guān)冷參數(shù)的影響。
ICP深硅刻蝕工藝研究

感應(yīng)耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)是微機(jī)電系統(tǒng)器件加工中的關(guān)鍵技術(shù)之一。
GCr15鋼表面激光硼化研究

在已經(jīng)過(guò)常規(guī)淬火的GCr15軸承鋼表面, 利用脈沖Nd:YAG激光進(jìn)行了B4C粉末硼化改性處理。
GaAs/GaAlAs光陰極的XPS深度剖析

GaAs光陰極是一種高性能光陰極, 它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。
W波段高頻輸出窗仿真與實(shí)驗(yàn)研究

研究了W波段高頻輸出窗的工作特性及三個(gè)關(guān)鍵結(jié)構(gòu)尺寸對(duì)工作特性的影響規(guī)律。
光譜擬合法確定一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜材料的復(fù)數(shù)光學(xué)常數(shù)

為了獲得一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鑭鍶錳氧薄膜材料的復(fù)數(shù)光學(xué)常數(shù), 利用光學(xué)薄膜原理和數(shù)學(xué)優(yōu)化方法,對(duì)磁控濺射技術(shù)制備的不同厚度的鑭鍶錳氧薄膜。
SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜的漏電特性研究

采用射頻反應(yīng)磁控濺射法在p-Si(100) 襯底上成功制備出SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜, 并研究了Au/SrHfON/Si MOS 電容的漏電流機(jī)制及應(yīng)力感應(yīng)漏電流(SILC)效應(yīng)。
航天器柔性熱控薄膜研究現(xiàn)狀

環(huán)境至關(guān)重要。本文針對(duì)空間熱控技術(shù)發(fā)展要求, 綜述了國(guó)內(nèi)外柔性熱控薄膜材料的技術(shù)指標(biāo)以及應(yīng)用現(xiàn)狀。
真空環(huán)境中多場(chǎng)耦合對(duì)Au/Cu/Si薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響

采用磁控濺射方法在Si基底上制備了Au/Cu薄膜。利用掃描俄歇微探針納米化分析技術(shù)進(jìn)行表面成分分析與深度剖析, 研究在真空環(huán)境中, 紫外輻照、微氧氧含量及處理溫度等因素作用對(duì)Au/ Cu薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響。
電致變色薄膜器件在空間中的應(yīng)用前景

電致變色薄膜器件的光學(xué)性質(zhì)可以隨外加電場(chǎng)而發(fā)生可逆的變化, 利用這種性質(zhì), 電致變色薄膜器件可以廣泛應(yīng)用于建筑、汽車(chē)、航天等領(lǐng)域, 在節(jié)能、熱控等方面發(fā)揮作用。
微型星用可變輻射器

微型星用熱開(kāi)關(guān)輻射器因其輻射能力可根據(jù)需要主動(dòng)調(diào)節(jié), 整體采用薄膜和微結(jié)構(gòu)制造, 具有輕小、低功耗等的特點(diǎn), 非常適合于微/納衛(wèi)星熱控應(yīng)用。
不同襯底溫度下生長(zhǎng)的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS 研究

采用固相反應(yīng)法合成具有焦綠石立方結(jié)構(gòu)的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN) 陶瓷靶材, 采用脈沖激光沉積法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100) 基片制備立方BZN 薄膜, 襯底溫度在500~ 700℃范圍內(nèi)變化。
前驅(qū)膜疊層及硒化升溫方式對(duì)銅銦鎵硒薄膜性能的影響

以鈉鈣玻璃為襯底, 利用兩靶磁控濺射的方法, 選擇不同的疊層方式制備銅銦鎵前驅(qū)膜。