本文分別采用電子束蒸發和磁控濺射的方法在n 型摻雜(n-Si：H)膜上沉積了不同摻雜量和不同厚度的摻Al 的ZnO(ZnO：Al)薄膜。通過I-V 測試儀測試了兩種方法制備的ZnO：Al 薄膜與n-Si：H膜的接觸特性，結果顯示對于電子束蒸發制備的ZnO：Al 薄膜，當摻雜濃度為2.5%時n-a-Si：H/ZnO：Al的接觸電阻最小，在厚度變化不大的情況下，n-a-Si：H/ZnO：Al 的接觸電阻隨著ZnO：Al 厚度的增加而增大。而磁控濺射制備的ZnO：Al 薄膜，n-a-Si：H/ZnO：Al 的接觸電阻隨著厚度的增加而不斷減小。

　　半導體材料的薄膜化可以大幅度降低太陽能電池的成本，所以薄膜太陽能電池的研究已經成為下一代光伏研究的熱點。要提高硅薄膜太陽能電池的效率，背反射電極(ZnO：Al)的加入至關重要。硅薄膜太陽能電池的短路電流是由光的透射、反射和載流子的復合所決定。背反射電極n/TCO/Al 的加入，使透過電池到達背電極的那部分再反射回來，進行二次吸收，這樣可以增加I層的光吸收從而提高電池效率。提高短路電流是背反射電極的主要作用。

　　然而，對于pin 硅薄膜太陽能電池來講，在背反射電極n/TCO/Al 的制備時，要在n+ 層上濺射ZnO：Al 透明導電膜，由于濺射粒子能量很大，它對電池的轟擊比較嚴重，所以ZnO：Al 的濺射功率不能太大;要提高電池的轉換效率，就要盡量減小串聯電阻值，背電極和n+之間必須形成良好的歐姆接觸，盡量減少對載流子的阻擋作用。因此，為提高電池效率很有必要深入研究TCO/n 界面的接觸效應。

　　本文采用PECVD法在ZnO：Al 薄膜上沉積了n-a-Si：H 薄膜，接著分別用電子束蒸發和磁控濺射法在n-a-Si：H 薄膜上制備ZnO：Al 薄膜，并對ZnO：Al 薄膜與n-a-Si：H 薄膜的電接觸特性進行了研究，從而找到ZnO：Al薄膜的最優化條件。

　　1、實驗方法和設計

　　用PECVD 法[9-10]在ZnO：Al 導電玻璃上沉積n-a-Si：H 薄膜，沉積條件為：電極間距(d=2 cm)，硅烷含量(SiH4%=2%)，硼烷含量(PH3%=0.8%)，沉積溫度(T=250 ℃)，氣體總流量(TF=187.4 sccm)，反應氣壓(P=133.3 Pa)，沉積功率(Prf=50 W)。然后再在n-a-Si：H 薄膜上沉積ZnO：Al 薄膜，用兩種方法(1)電子束蒸發的沉積條件為：溫度：200 ℃，氧分壓：1×10^-2 Pa，束流：40 mA，不同的摻雜量(Al2O3：ZnO)分別為2%、2.5%和3%，保持摻雜量為2.5%時，改變沉積時間分別為10 min、15 min、20 min、25 min 和30 min。(2)磁控濺射反應條件為：溫度：200 ℃，氧流量：5.06 sccm，氬流量：18.6 sccm，濺射電流：1 A。不同厚度的反應時間分別為：4 min、8 min 和10 min。最后在樣品上蒸鍍鋁電極，對其進行I-V 測試。

　　樣品的接觸特性用I-V 測試儀進行了測量和分析，所用的儀器為美國吉時利公司生產的2182A 納伏表和2400恒流源。樣品的晶化率用Raman 譜進行了測量和分析， 所用的儀器為Renishaw 2000。

　　3、結論

　　對于電子束蒸發制備的ZnO：Al 薄膜，摻雜濃度存在一拐點，當摻雜濃度為2.5%時，n-a-Si：H/ZnO：Al 的接觸電阻最小，這是因為在摻雜濃度為2.5%時ZnO：Al 薄膜的電阻率最小;而保持摻雜濃度為2.5%時，n-a-Si：H/ZnO：Al 的接觸電阻隨著ZnO：Al 厚度的增加而不斷增大，分析認為，厚度變化不大時，薄膜的性能基本相同(電阻率和結晶度差別不大)，但體電阻隨著厚度的增加而增加。

　　對于磁控濺射制備的ZnO：Al 薄膜，n-a-Si：H/ZnO：Al 的接觸電阻隨著厚度的增加而不斷減小，因為對于磁控濺射制備的ZnO：Al 薄膜來說，隨著ZnO：Al 厚度的增加，ZnO：Al 薄膜的電阻率不斷減小，結晶度也不斷變好。