真空技術(shù)應(yīng)用
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逆向熱鍵合技術(shù)制作SU-8膠納流控通道
本文分析了界面間粘附能的大小對圖形轉(zhuǎn)移和鍵合過程的影響,并通過改變封裝膠層的厚度,獲得了不同尺寸的納米通道,建立起膠層厚度和納米通道尺寸精確的線性關(guān)系。
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InAs(001)吸附表面的不可逆重構(gòu)相變研究
本文利用反射式高能電子衍射儀對InAs(001)吸附表面進行觀測,發(fā)現(xiàn)表面(3×1)與(2×4)重構(gòu)之間存在不可逆的相變過程。
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低能C離子注入單晶硅機械和摩擦學(xué)性能
本文采用低能離子注入的方法,使用MEVVA 源將C離子注入單晶硅表面,考察了低能注入C 離子對單晶硅機械性能和摩擦學(xué)性能的影響,并相應(yīng)地探討了低載荷下的磨損機制。
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離焦量對空氣中YAG激光誘導(dǎo)Cu等離子體空間特性的影響
本文采用1064 nm的YAG 脈沖激光,通過變換激光離焦量,用光譜學(xué)方法研究在空氣中激光誘導(dǎo)銅靶所產(chǎn)生的相應(yīng)空間等離子體的特性,并從光譜學(xué)診斷的角度對等離子體特性做了進一步的研究分析。
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超長氧化釩納米線的制備與表征
本文以V2O5為原料,以乙二胺為模板劑,結(jié)合溶膠凝膠法和水熱法制備了V2O5納米線,并利用掃描電子顯微鏡(SEM),傅里葉紅外光譜儀(FT-IR),拉曼光譜儀和X射線衍射(XRD)儀對樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和組成成分進行了表征和分析
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郎穆爾探針低溫低壓等離子體診斷
本文基于OrbitalMotionLimit(OML)離子收集理論確定探針電壓、電流與等離子體狀態(tài)參數(shù)的函數(shù)關(guān)系,應(yīng)用自編Matlab程序?qū)μ结槞z測數(shù)據(jù)進行多重濾波處理,得到的結(jié)果與實驗進行比較,期望提高探針的檢測精度。
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不同等離子體壓強時擾動磁場的演化規(guī)律
本文旨在應(yīng)用半解析方法,對擾動磁場隨等離子體壓強的演化規(guī)律進行數(shù)值模擬,并給出直圓柱位形下,不同等離子體壓強時,徑向擾動磁場、角向擾動磁場和軸向擾動磁場隨等離子體柱的半徑r的演化規(guī)律。
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一維碳納米材料的研究進展
本文綜述了一維碳納米材料的制備、結(jié)構(gòu)和形貌以及潛在應(yīng)用價值的研究進展,探討了該研究領(lǐng)域需要解決的問題以及今后可能的發(fā)展前景。
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低地球軌道空間等離子體參數(shù)的試驗研究
本文采用微波電子回旋共振(ECR)等離子體源模擬了空間等離子體,運用靜電探針法獲取了等離子體的伏安特性曲線,并分析了氣流量和微波源功率對電子密度的影響,對模擬分析不同軌道高度空間等離子體對航天器電位影響有
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