ZnO薄膜結(jié)構(gòu)與壓電性能調(diào)控及其應用研究

2013-02-19 羅景庭 深圳大學物理科學與技術(shù)學院

ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)與壓電性能調(diào)控及其應用研究

羅景庭1 潘 峰2 曾 飛2 范 平1 張東平1 鄭壯豪1 梁廣興1

(1.深圳大學物理科學與技術(shù)學院薄膜物理與應用研究所 深圳市傳感器技術(shù)重點實驗室;2.清華大學材料系先進材料教育部重點實驗室 北京 100084)

  摘要:壓電材料是一類非常重要的功能材料,是制備電聲換能器,水聲換能器,超聲換能器,壓力傳感器,壓電傳感器和振蕩器,變壓器聲表面波器件和體聲波器件的關(guān)鍵材料,被廣泛應用于電子,信息,機械,能源,國防安全等軍用和民用的各領(lǐng)域。目前應用最為廣泛的壓電材料是含鉛的鈣鈦礦和鈦鐵礦型壓電材料,這類壓電材料最致命的缺點是含有大量的鉛,鉛有劇毒,在生產(chǎn)和使用過程,以及后續(xù)的回收處理過程都會對環(huán)境造成嚴重的污染,同時危害人類健康。隨著人們的環(huán)保和健康意識不斷加強,尋找無鉛壓電材料來替代含鉛壓電材料的應用變得越來越重要,制備性能優(yōu)異的無鉛壓電材料成為世界各國爭相研究的熱點。

  目前研究最多的無鉛壓電材料是鈣鈦礦結(jié)構(gòu),鉍層狀結(jié)構(gòu)及鎢青銅結(jié)構(gòu)的三大類無鉛壓電材料,這些無鉛壓電材料的成分和結(jié)構(gòu)相對復雜,制備優(yōu)良性能的材料也相對困難,因此探索結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,性能優(yōu)良的新型無鉛壓電材料受到廣泛關(guān)注。ZnO 壓電材料安全無毒,結(jié)構(gòu)簡單,性質(zhì)穩(wěn)定,原料來源豐富,成本低廉,材料制備和器件制作工藝與目前廣泛應用的半導體平面工藝相兼容。ZnO 的制備技術(shù)成熟,采用工業(yè)上廣泛應用的磁控濺射法即可制備大面積高質(zhì)量的ZnO 薄膜材料,因此被廣泛應用于微電機械系統(tǒng)、傳感器、驅(qū)動器等各類壓電器件中。

  早前,人們制備的ZnO 壓電材料的壓電常數(shù)d33 比較小,ZnO 塊體的壓電常數(shù)一般只有9pC/N 左右,即使具有良好擇優(yōu)取向的ZnO 薄膜的壓電常數(shù)也只有12pC/N 左右,這比目前應用廣泛的壓電鈣鈦礦陶瓷材料小1~2 個數(shù)量級以上。壓電器件的性能依賴于壓電材料的壓電性能,為了提高壓電器件的性能,有不少研究工作通過改善 ZnO 薄膜的制備工藝來提高 ZnO 薄膜的壓電性能,但效果并不明顯。此前研究制備的最高壓電常數(shù)d33 出現(xiàn)于ZnO 納米帶中,為26.7 pC/N。如果 ZnO 的壓電常數(shù)能提高到與壓電鈣鈦礦陶瓷材料相比擬,那么ZnO 基壓電器件性能將進一步改善,同時 ZnO 作為一種環(huán)境友好型壓電材料有望廣泛應用于各類無鉛壓電的應用領(lǐng)域,從而顯著拓寬其應用范圍。課題組對ZnO 薄膜的壓電性能進行了多年的探索和實驗,發(fā)現(xiàn)通過在ZnO 薄膜中摻入適量的V,Cr,Mn,F(xiàn)e 過渡金屬對ZnO 薄膜的結(jié)構(gòu)進行調(diào)控,其壓電常數(shù)得到極大地提高,分別達到170,120,86,127 pC/N,這比普通ZnO 薄膜的壓電常數(shù)提高了一個數(shù)量級,能夠與上述三種無鉛壓電材料的壓電性能相媲美。通過不同摻雜含量和后續(xù)退火處理等實驗探索ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)調(diào)控提高 ZnO 薄膜壓電常數(shù)的內(nèi)在機理,發(fā)現(xiàn)以下規(guī)律:摻雜離子替代Zn2+的位置,當摻雜離子半徑小于被替代的Zn2+半徑,而且其價態(tài)比+2 價大時,摻雜就可以提高 ZnO 薄膜的壓電性能,如V5+,Cr3+,Mn3+/Mn4+,F(xiàn)e3+摻雜均能提高ZnO薄膜的壓電性能。

  這是一個普適性的規(guī)律,可以用來指導制備具有大壓電常數(shù)的ZnO 薄膜。具有大壓電常數(shù)的ZnO 薄膜非常適合制備高性能的ZnO基壓電器件,同時可以將ZnO 薄膜作為一種新型的無鉛壓電材料應用,為探索無鉛壓電材料提供新思路和方法。課題組還將具有大壓電常數(shù)的ZnO 薄膜制作成聲表面波器件,實驗采用V 摻雜 ZnO 薄膜作為壓電層在金剛石上成功制備了中心頻率高達4.2 GHz 的聲表面波濾波器,發(fā)現(xiàn) V 摻雜 ZnO 薄膜器件的插入損耗比純 ZnO 薄膜器件的插入損耗降低 34%, 其機電耦合系數(shù)達2.9%,比純 ZnO 薄膜器件提高了81.3%。利用Mn,F(xiàn)e 元素摻雜改性的 ZnO 薄膜制備聲表面波器件,其性能也都有較大地改善。聲表面波器件性能的改善與ZnO 薄膜性能的提高密切相關(guān),特別是 ZnO 薄膜壓電性能的提高更起到舉足輕重的作用。

  ZnO 薄膜通過摻雜進行結(jié)構(gòu)調(diào)控獲得具有與目前一些無鉛壓電陶瓷材料相比擬的壓電常數(shù),ZnO 薄膜安全無毒,生物相容性好,可作為一種新型的無鉛壓電材料。