本文針對離子注入工藝的特定要求，采用buck 拓撲結構，以IGBT 為斬波器件，并結合單片機與CPLD 技術，研制了一種低頻長脈寬的高壓脈沖數字電源。通過離子注入試驗并結合工藝研究驗證了該電源的實用性和穩(wěn)定性。

　　傳統(tǒng)的高壓脈沖電源多采用高壓電子管作為斬波器件，其穩(wěn)定工作狀態(tài)在6 kV 以上，而電子管也存在體積大、功耗大、發(fā)熱嚴重、壽命短、電源利用效率低、結構脆弱 等缺陷，所以真空技術網(http://smsksx.com/)經過調研發(fā)現(xiàn)它的絕大部分用途已經被固體器件晶體管所取代。綜上考慮，本文以IGBT 為斬波器件設計了一套10 kV 以下的高壓脈沖電源，彌補了該領域的空白。

1、電源指標要求

　　輸入電壓為單相交流220 V；輸出脈沖峰值電壓范圍為1 kV~10 kV；輸出最大峰值電流為4 A；脈沖頻率為1 Hz~20 Hz；脈沖寬度為1.5 ms；脈沖上升時間小于5 us。

2、電源設計原理介紹

　　該脈沖電源工作于低頻長脈寬高壓狀態(tài)，它的基本工作原理是：首先經過慢儲能，使初級有足夠的能量，然后向中間儲能和脈沖成型系統(tǒng)放電，能量經過儲存、壓縮、形成脈沖或轉化等復雜過程之后，獲得高壓脈沖。

3、電源方案設計

　　3.1、電源主回路設計

　　該電源采用的主回路原理圖如圖1 所示，由工頻整流、電壓調制、頻率脈寬調制和升壓四部分組成。其電能形式變化依次分為為：220 V 單相交流源、310 V 恒壓直流源、30 V~280 V 可調直流電壓源、280 V 以下可調脈沖源、10 kV/4 A/1.5 ms 脈沖五個環(huán)節(jié)。

圖1 脈沖電源主回路原理圖

　　在電壓調制回路中采用的是buck 降壓斬波電路，而頻率脈寬調制回路中采用硬斬波方式，二者均以IGBT 作為斬波器件。變壓器的連接采用的是三臺變壓器原邊并聯(lián)副邊串聯(lián)的方式，這樣有效的減小了單臺變壓器的變比，防止因變比過大而導致產生較大寄生參數等問題，同時實驗也證明，這種方式有效的縮短了脈沖上升時間。

　　3.2、電源控制系統(tǒng)原理

　　圖2 示出該電源的控制系統(tǒng)組成。前級斬波(即IGBT1 斬波) 采用SG3525 芯片實現(xiàn)模擬信號控制；后級斬波(IGBT2 斬波)采用MCU 和CPLD配合控制，采用的芯片分別為C8051F020 和EPM1270T144C5，以數字信號控制為主。

圖2 控制系統(tǒng)組成方框圖

　　圖中TLC1543 為ADC 芯片，TLC5615 為DAC芯片，二者配合使用共同完成模擬電路與數字電路之間的信號轉換。由于所選用的低成本單片機芯片在數據采集、響應速度等方面具有較大的時間延遲，不能滿足過流保護的速率要求，系統(tǒng)中的電流反饋則通過比較器LM339 轉換成同相的方波送入CD4098 或者CPLD，CD4098 在上升沿觸發(fā)條件下輸出具有一定寬度的脈沖信號送入SG3525實現(xiàn)輸出脈沖的內部關斷，而CPLD 則在上升沿觸發(fā)下由內部邏輯元電路判斷過流進而完成信號終止輸出，這兩種方式均有效地縮短保護動作時間，增加電源工作狀態(tài)的可靠性、穩(wěn)定性。

　　3.3、整流回路的開通時序

　　圖1 所示的工頻整流環(huán)節(jié)中，主回路導通采用可控硅SCR1 與SCR2 配合控制。圖示電容C1與C2 選值較大，若SCR1 與SCR2 同時導通，交流220V 電源直接給C1、C2 充電，會導致該回路產生過大的充電電流。該過電流會直接導致空氣開關連續(xù)跳閘以及可控硅、整流橋等器件損壞。

　　SCR1 與SCR2 采用非同步導通。SCR1 在T1時刻導通后，交流電壓通過R1 為C1 和C2 充電，而SCR2 需在C1、C2 充電完成后導通，即SCR2 導通時刻T2 需滿足：T2≥T1+R1×(C1+C2)。導通時序的配合控制如圖2 所示，由MCU 和TLC5615共同完成。

5、結論

　　采用buck 拓撲電路設計脈沖電源的電壓調試回路具有結構簡單、理論成熟、便于調試等優(yōu)點。單片機配合SG3525 的控制方式有效的降低了輸出脈沖在脈寬、頻率、壓差等方面的誤差，增加了輸出精度。脈沖變壓器的設計與連接方式有效降低了寄生參數的影響，使輸出波形更趨近于注入要求。該電源自投入上海某研究所實驗室應用之后，各狀態(tài)工作正常，未出現(xiàn)任何故障。這表明該電源具備較高的穩(wěn)定性、可靠性及實用性。